범용 D램, 512M에서 `1G`로 교체

　PC용으로 범용 D램의 주력 제품이 이르면 상반기 중에 512Mb에서 1Gb로 세대 교체될 전망이다.

20일 관련업계와 시장기관에 따르면 삼성전자와 하이닉스반도체·마이크론 등 선두 업체들이 생산하는 512Mb D램과 1Gb D램 제품 비율이 5대 5에 이르렀고 점차 1Gb D램 생산을 늘리고 있기 때문이다.

하이닉스반도체는 1Gb D램의 경우 지난해부터 512Mb D램을 대체하기 시작, 1Gb D램 제품 판매 비중이 큰 것으로 알려졌다.

이손석 하이닉스 상무는 “1Gb 제품은 90 나노 공정에서 80 나노 공정을 거치지 않고 66 나노로 건너뛰면서 512Mb 제품에 비해 원가경쟁력이 있고 PC 메인메모리로 2Gb를 탑재하려면 512Mb 제품으로는 한계가 있을 것”이라고 설명했다. 그는 “최근 D램 가격이 내려가면서 메인메모리로 2∼3Gb를 탑재하는 PC가 늘어나면서 수요도 받쳐주는 것도 한 요인으로 작용한다”고 덧붙였다.

삼성전자도 1분기 중 512Mb 제품과 1Gb 제품 출하수가 역전될 전망이다. 삼성전자 측은 지금은 512Mb 제품과 1Gb 제품이 5대 5 비율로 가는 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난해 60 나노 공정에서 512Mb 제품을 먼저 생산했고 이후 1Gb 제품으로 전환하기 시작했다.

삼성전자 관계자는 “비트크로스는 예를 들어 1Gb 제품의 가격이 512Mb 제품의 2배가 됐을 때를 이야기하는데 처음 가격이 일치한 시점을 비트크로스로 단정하기보다 2∼3번 정도 반복이 된 후를 비트크로스로 본다”며 “올 초에 가격 측면에서 일시적으로 비트크로스가 있었지만 완전한 비트크로스는 조금 더 지켜 봐야 할 것”으로 내다봤다.

아이서플라이에 따르면 마이크론도 지난해 3분기에 512Mb 제품이 50% 수준이고 1Gb 제품 비중도 41.5%에 이른 것으로 알려졌다.

반면, 일본 엘피다는 6.3% 수준이고 키몬다·난야·파워칩 등은 1∼3%, 프로모스는 1Gb 제품이 없는 것으로 나타났다.

하이닉스 관계자는 “1Gb 제품으로 세대교체를 위해 공정이 60 나노대로 가야 하지만 대만 후발 업체들은 아직 적용한 곳이 없는 것으로 알고 있다”고 밝혔다.

업계 일각에서는 “선발 업체들은 이미 주력 제품이 1Gb 제품으로 가고 있지만 대만 업체 등 후발업체 전체를 봤을 때 512Mb 제품과 1Gb 제품의 세대교체가 되는 시기는 올 4분기께나 될 것”이라는 관측도 있다.

　 주문정기자@전자신문, mjjoo@