동부하이텍, SETi와 110나노 130만 화소 CIS 공동개발

　동부하이텍 반도체부문(대표 오영환 www.dongbuhitek.co.kr)은 에스이티아이(대표 이창조 www.nice.seti.com)와 공동으로 110나노급 공정기술을 이용한 130만 화소 CMOS 이미지 센서(CIS) 칩을 개발, 1분기 중으로 양산에 들어간다고 3일 밝혔다.

동부하이텍이 CIS 반도체 설계 전문회사인 에스이티아이(SETi)와 전략적 제휴를 맺은 이후 처음 내놓은 성과다. 두 회사는 앞으로 200만 화소와 300만, 500만 화소까지 지원하는 CIS 제품을 개발해 공급량을 늘려나가는 등 협력 관계를 더욱 강화할 계획이다.

CIS 개발에는 에스이티아이 R&D 인력과 동부하이텍 공정설계 인력이 함께 참여했다. 초기 단계에서부터 양산을 염두에 두고 설계했다. 자체 개발한 라이브러리를 설계 데이터베이스로 사용해 통상 1년 이상 소요되는 설계 기간을 6개월로 단축시켰다.

동부하이텍은 CIS 모듈 제작과 판매에까지 비즈니스 영역을 넓혀 매출을 확대하고 수익성을 제고한다는 계획이다.

신공정 개발을 주도한 동부하이텍의 황준 상무는 “최근 130나노 CIS를 본격적으로 양산하기 시작한 데 이어 이번에 110나노 CIS를 개발함으로써 1.75um×1.75um 픽셀 피치를 구현해 선두 업체와 미세공정 CIS 분야에도 충분히 경쟁을 할 수 있게 됐다”라고 말했다. 그는 “앞으로는 이미지 선명도 등 CIS 화질 수준은 높게 유지하면서 칩 크기를 대폭 줄일 수 있는 신개념의 특화기술도 개발할 계획”이라고 덧붙였다.

주문정기자@전자신문, mjjoo@