하이닉스 48 나노 낸드플래시 세계 최초 양산

하이닉스반도체가 내년 초 세계 최초로 40나노급 낸드플래시 반도체 양산을 개시한다.

하이닉스는 4일 "최근 48나노 공정을 적용한 16Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 제품 개발을 끝내고 이달 중 샘플을 글로벌 고객사에 공급한 뒤 내년 1월 본격 양산에 들어갈 예정"이라고 밝혔다.

하이닉스는 이 제품을 12인치 웨이퍼 공정의 경기 이천 M10, 그리고 현재 건설중인 충북 청주 M11 라인에서 양산할 계획이다.

하이닉스는 1월에는 투입되는 웨이퍼 기준으로 수천장 선에서 양산을 시작하고 , 1.4분기 안에 월 평균 1만5천-2만장 규모까지로 생산량을 늘릴 방침이다.

하이닉스 관계자는 "낸드플래시는 뮤직폰 등 모바일 기기와 하드디스크 대체 제품으로 떠오르는 SSD(Solid State Drive) 등으로 수요처가 갈수록 다양해지고 있다"며 "우선 48나노 공정을 적용한 16Gb MLC 제품부터 내놓은 후 동일한 공정으로 생산되는 8Gb 싱글레벨셀(SLC) 제품도 선보일 계획"이라고 말했다.

반도체 생산에서 미세 공정은 생산성과 제품 경쟁력 강화에 가장 중요한 변수가 된다는 점에서 세계 반도체 업계는 양산 공정의 미세화에 사활을 걸고 있다.

48나노 제품은 하이닉스가 현재 양산중인 60나노 제품에 비해 생산량 기준으로 90％, 57나노 제품과 비교하면 60％ 이상 각각 향상된 것이라고 하이닉스는 설명했다.

또 현재 업계 1위인 삼성전자는 51나노, 2위인 일본의 도시바는 56나노 공정으로 낸드플래시를 생산하고 있다. 따라서 하이닉스는 48나노이 실현되면 삼성전자에 비해 10％, 도시바와 비교해서는 20％ 이상 생산성이 높을 것으로 보고 있다.

삼성전자나 도시바 등은 현재 40나노급 제품 양산 시기를 빨라도 내년 2.4분기 이후로 잡고 있는 것으로 알려져있다.

결국 이들 업체에 비해 뒤늦게 2004년 낸드플래시 사업을 시작한 하이닉스가 빠른 속도로 이들과의 기술 격차를 줄이는 데서 나아가 40나노급 제품 양산에서는 한발 앞섰다는 점이 업계의 비상한 관심을 끌고있다.

하이닉스 관계자는 "하이닉스는 지금까지 D램 분야에서 확고한 기반을 잡았다고 자평한다"며 "내년부터는 업계 최초 48나노 공정 도입을 통해 공격적으로 낸드플래시 시장을 공략해 명실상부한 반도체 1등 기업으로 도약하겠다"고 말했다.

<연합뉴스>