하이닉스, P램 개발 본격화

　하이닉스반도체가 2009년 양산을 목표로, P램 개발에 본격 나선다.

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 P램 원천기술 보유업체인 미국 오보닉스와 기술 개발을 비롯, 재료·공정·디자인·생산 등 포괄P램 기술에 대한 라이선스 계약을 체결하고, 최근 90나노 미세공정을 적용한 P램 기술 개발에 착수했다고 1일 밝혔다.

하이닉스는 90나노 공정에서 제조 기술을 확립하는대로, 512Mb 또는 128Mb 시제품 개발에 나설 예정이다. 이와 함께 2009년을 목표로 90나노 공정을 60나노급으로 끌어 내려, 원가경쟁력을 확보한 상용 제품 양산도 본격화한다는 계획이다. 하이닉스반도체 박성욱 부사장(연구소장)은 “P램 기술력은 어느 수준의 미세공정 기술을 적용해 제품을 제조해 내느냐가 척도로, 제품의 용량은 시장 수요에 맞춰 생산하면 된다”며 “아직 P램의 수요가 어느정도 용량에서부터 발생할 지 예상이 어렵기 때문에 다각도로 검토하고 있다”고 밝혔다.

하이닉스는 P램 등 차세대메모리 개발을 위해 이미 R&D 팹도 구축해 놓고 있다. 이 팹을 통해 시제품 개발까지 진행할 계획으로, 양산 팹은 추후 결정할 예정이다.

P램은 상변화 물질에 전류를 가하면 고체와 액체로 변하는 상변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 비휘발성 메모리로, 차세대메모리의 대표주자로 각광받고 있다. 하이닉스반도체는 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램을 포함한 신규 제품 군으로 채울 계획이다. 이에 따라 P램과 같은 차세대 메모리 개발에 역량을 집중하고 있으며, 특히 오보닉스와의 라이선스 계약 체결을 통해 목표에 한 발 더 다가설 것으로 기대하고 있다.

심규호기자@전자신문, khsim@