차세대 전략 삼성전자 홀로, 하이닉스 함께

　‘독자 노선이냐 제휴냐’

　한국 반도체산업의 양대 산맥인 삼성전자와 하이닉스반도체가 차세대 반도체 개발전략에서 극명하게 대비되는 자세를 취하고 있어 주목된다.양사의 서로 다른 선택이 차세대 시장에서 어떤 결과로 나타날지 관심이 모아지고 있다.

　삼성전자는 지난 2001년 도시바가 제안해온 낸드플래시 합작개발을 거절한 이후 지금까지 독자노선을 고수하고 있다. 세계 최초, 세계 1위를 지키기 위한 고독한 선택이다.

　반면 삼하이닉스반도체는 과감한 제휴 전략을 취하고 있다. 채권단 관리하에 있던 기술 투자 공백기를 뛰어 넘기 위해서다.

　가장 대표적인 제품이 퓨전메모리다. 삼성전자는 퓨전메모리인 원낸드를 독자 개발, 상용화에 성공했다. 노어플래시를 대체할 차세대메모리로 주목받고 있는 P램(상변화메모리)에서도 삼성전자는 나홀로 개발 노선을 고수했다. 삼성은 현재 전세계에서 가장 앞선 공정과 가장 큰 용량의 시제품을 개발해 놓고 있다. 30나노 이하 미세공정에서 D램의 한계를 극볼할 수 있을 것으로 기대되는 차세대 휘발성 메모리분야에서도 삼성전자는 Z모스라는 독자 기술을 개발 중이다.

　반면 하이닉스반도체는 샌디스크과 제휴해 또 다른 퓨전메모리 규격인 ‘디스크온칩(DOC) H3’를 공동 개발해 생산하고 있다. 하이닉스는 또 샌디스크와 낸드플래시 용량을 획기적으로 늘리는 ‘x4 낸드플래시’ 공동 개발 MOU를 교환하며 협력을 확대하고 있다.

　차세대메모리 개발에 상대적으로 늦은 하이닉스는 유럽 반도체연구기관인 IMEC과 P램 등 비휘발성 메모리연구 프로젝트를 진행하고 있다. 아직 연구 단계인 P램을 빠르게 상용화하기 위해 공동 개발 파트너를 물색중이다. 하이닉스는 포스트 D램 개발에서도 스위스 이노베이티브실리콘사와 제휴, Z램을 공동개발키로 했다. Z램은 삼성이 개발중인 Z모스와 특성은 비슷하나 다른 기술로 이노베이티브실리콘사가 원천기술을 보유하고 있다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@