하이닉스반도체가 중국 우시공장의 200㎜팹(C1)을 이르면 내년 초 300㎜팹으로 전환한다.
이에 따라 현재 2개(이천 M10·중국 C2)인 하이닉스의 첨단 300㎜ 팹은 내년 중에 청주 M11을 포함해 총 4개로 늘어난다.
특히 하이닉스는 기존 청주공장의 200㎜ 팹도 300㎜로 전환하는 방안을 검토하고 있어, 상황에 따라서는 내년 말에는 개조팹을 포함해 300㎜ 팹을 5개까지 확보할 가능성도 있다.
12일 관련업계에 따르면 하이닉스는 중국 우시공장 200㎜ 팹인 C1의 장비를 이르면 올해 말부터 300㎜ 장비로 교체, 300㎜ 팹으로 개조해 운영할 예정이다.
이를 위해 하이닉스는 중국 파운드리업체인 CSMC 등과 현재 C1에 투입된 200㎜ 장비를 매각하는 협상을 진행 중인 것으로 알려졌다.
하이닉스는 현재 우시공장에 300㎜ 팹(C2) 1개를 가동하고 있어, C1도 300㎜로 전환되면 중국 공장의 팹은 모두 300㎜ 생산체제를 갖추게 된다.
하이닉스는 생산량 확대를 위해, 200㎜ C1 팹의 일부 공간을 이미 300㎜ 생산라인으로 전환하기 시작한 것으로 전해졌다.
하이닉스의 중국 300㎜ 팹 전환은 이천공장의 300㎜ 팹 건설이 불투명한 상황에서 내년 4월 가동에 들어갈 예정인 청주 300㎜ 팹(M11) 만으로는 현재의 시장 지배력 유지가 어려울 수도 있다는 절박함이 배경으로 풀이된다.
정부는 하이닉스 이천공장과 관련, 무방류시스템을 전제로 기존 공장의 구리공정 전환은 허용한다는 입장을 밝혔을 뿐 새 공장 신설에 대해서는 아직 논의조차 되지 않고 있다.
반도체업계 한 관계자는 “삼성전자의 경우 이미 22라인(현재 15라인 가동 중)까지 지을 수 있는 부지를 확보하고 중장기 팹 증설 기본 계획에 따라 진행하고 있으나, 하이닉스는 다음 공장 증설 계획조차 못 잡고 있는 실정”이라며 “200㎜ 팹의 300㎜ 개조는 중장기 로드맵을 확정하지 못한 상태에서 추진하는 고육지책”이라고 말했다.
한편 삼성전자는 시스템반도체 팹인 300㎜ S라인과 4개의 300㎜ 메모리 팹(12·13·14·15라인) 등 총 5개 300㎜ 팹을 가동하고 있으며, 내년에는 1분기 가동 예정인 미국 오스틴 팹을 포함해 6개로 늘어날 전망이다. 또 삼성전자는 매년 국내에 평균 1개 팹을 신설해 왔다는 점을 감안하면, 내년 삼성전자의 300㎜ 팹은 총 7개로 늘어날 가능성이 높다.
심규호기자@전자신문, khsim@
