KLA텐커(지사장 홍완철)는 65㎚ 이하 반도체 공정에 적용 가능한 차세대 포토마스크 검사 시스템(제품명 STARlight-2)을 개발했다고 10일 밝혔다.
이 제품은 포토마스크가 노광 공정에 계속 노출되면서 발생하는 결정 성장 등의 오염을 검사, 포토마스크 결함에 따른 팹의 수율 하락을 막아주고 포토마스크의 품질을 재검증할 수 있게 해 준다. 65㎚ 이하 공정에 주로 쓰이는 ‘최고 해상도 향상 기술’(XRET, extreme resolution enhancement technique)이 적용된 포토마스크의 오염 검사도 가능하다.
300㎜ 웨이퍼 공정과 193㎚ 노광 공정의 확대로 포토마스크가 높은 에너지에 노출되는 시간이 더욱 길어지게 되면서 포토마스크에 결함이 발생할 가능성은 더 커졌다고 회사측은 설명했다.
한세희기자@전자신문, hahn@
