FinFET는 ‘Fin(물고기의 지느러미) Field Effect Transistor’의 약자로 1999년 미국 버클리대에서 처음 개발된 3차원 소자구조의 명칭이다. FinFET는 2차원 평면 소자구조 크기를 작게 하는 데 한계로 알려진 단채널 효과를 줄이고 작동전류의 크기를 증가시키기 위해 물고기 지느러미처럼 수직으로 형성된 얇은 채널을 2개 이상의 게이트로 제어함으로써 채널에 대한 게이트의 영향력을 확대시켰다. FinFET는 초소형 고집적 반도체를 만들기 위한 유망 기술로, 삼성전자·IBM 등 세계적인 반도체 기업이 앞다퉈 연구중이다.
FinFET 이론을 창시한 버클리대 연구팀 가운데는 우리나라의 최양규 KAIST 교수가 포함돼 있다. 최 교수는 최근 FinFET 이론을 바탕으로 세계에서 가장 작은 3나노급 소자를 개발해 실리콘반도체의 한계를 극복하고 무어의 법칙이 5나노 이하 반도체에도 적용된다는 사실을 증명했다.
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