인텔이 90나노 미세가공기술을 채택한 고밀도 노어플래시 제품군을 국내 시장에 본격 출시, 휴대폰시장 공략을 강화한다. 지금까지 인텔은 노어플래시 생산에 130나노급 공정을 채택해 왔다.
인텔 코리아(대표 이희성 http://www.intel.com/kr)는 업계 최초로 90나노미터(㎚) 기술 기반의 멀티 레벨 셀(MLC) 256Mb·512Mb 노어 플래시 메모리(모델명 M18·사진)를 출시한다고 17일 밝혔다.
이번에 출시된 노어플래시 제품군은 업계에서 가장 빠른 읽기 속도를 제공함으로써 차세대 휴대폰 칩세트과 동일한 버스 주파수(최대 133㎒)에서 새로운 플래시 메모리가 운영될 수 있게 해준다.
이로 인해 칩세트과 메모리 실행 간의 상호작용이 기존 130나노 제품에 비해 향상돼 사용자 애플리케이션 실행 속도를 빠르게 해 준다. 특히 M18은 130나노 미세공정 제품에 비해 프로그램 작성에는 3분의 일, 삭제에는 절반 정도의 전력을 소비해 배터리 수명을 향상시킨다.
이희성 인텔코리아 사장은 “플래시 메모리는 차세대 휴대 전화 애플리케이션 구현을 위한 주요 기술 중 하나로 이번 출시한 M18 제품군은 성능·밀도·저전력에서 뛰어난 성능을 자랑한다”며 “256Mb 및 512Mb의 단일 칩과 최대 1Gb의 표준 스택 패키지로 휴대폰업계의 다양한 노어플래시 수요를 충족해 나갈 것”이라고 말했다.
심규호기자@전자신문, khsim@
