삼성전자, 세계최초 256Mb P램 기술개발

삼성전자가 지난해 세계 최초로 64Mb P램(상변화메모리) 시제품을 개발한 데 이어 최근 대용량 256Mb P램을 실현하는 기술 개발에도 성공했다.

　차세대메모리 중 F램(강유전체메모리)·M램(강자성메모리) 등이 시제품 단계에서도 16Mb 벽을 넘지 못했던 점을 감안할 때 삼성전자의 64Mb P램 시제품에 이은 이번 256Mb P램 기술 개발은 차세대메모리 주도권 경쟁에 매우 큰 영향을 미칠 전망이다.

　삼성전자는 최근 256Mb 이상급 P램에 적용할 수 있는 기술을 개발했으며 이 요소기술을 6월 일본 교토에서 열리는 ‘2005 VLSI 기술 심포지엄’에서 공개할 예정이라고 15일 밝혔다.

　특히 삼성전자는 이르면 올 하반기에 이 기술을 적용한 256Mb P램 동작샘플(시제품 생산 전 단계)을 제작, P램 대용량화에 속도를 낼 계획이다.

　삼성전자는 이번에 P램 용량 확대의 관건인 입력전류를 기존의 1∼2㎃에서 0.4㎃까지 낮춘 메모리셀로, 0.1㎛ 공정에서 신뢰성 등이 확인됐다. P램은 입력전류가 크면 같은 나노급 미세가공기술의 적용이 어려워져 같은 면적에서 구현할 수 있는 용량이 줄어들기 때문에 대용량화를 위해서는 입력전류를 낮춰야 한다.

　국내 P램 전문가들은 “삼성전자의 이번 256Mb P램 기술 개발이 곧바로 제품화를 의미하는 것은 아니지만 한계기술의 벽을 허문 것이라는 점에서 큰 의미가 있다”며 “아직 P램 제조비용이 플래시메모리에 비해 높지만 제조비용이 비슷해지는 시점부터 P램이 차세대 휴대폰 등에 급속히 채택될 것으로 예상되며 그 시장은 삼성전자가 주도할 가능성이 매우 높다”는 견해를 밝혔다.

　심규호기자@전자신문, khsim@

　

　◇P램(Phase-change RAM)이란=‘저마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5·GST)’라는 상변화 물질을 이용해 이 물질이 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화할 때 1비트를 얻는 방식으로 동작하는 신개념 차세대메모리 반도체다. 변화메모리·상태변화메모리·상전이메모리라고 표현되는 P램은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점과 빠른 처리 속도를 자랑하는 D램의 장점을 모두 가지고 있다. P램 분야에서는 64Mb P램 시제품을 내놓고 있는 삼성전자가 기술적으로 가장 앞선 것으로 평가되고 있으며 ST마이크로 등이 8Mb 수준의 기술 개발에 성공한 것으로 알려지고 있다.