하이닉스도 `DDR3` 개발

하이닉스반도체(대표 우의제)가 차세대 D램인 DDR3 개발에 최근 성공한 것으로 알려졌다. 지난 2월 삼성전자가 세계 최초로 DDR3 개발을 공식 발표한 지 한달 만이어서, 하이닉스가 세계 두번째 DDR3 개발업체로 기록될 전망이다.

20일 관련업계에 따르면 하이닉스반도체가 개발에 성공한 제품은 90나노 공정을 적용한 512Mb급 대용량 DDR3 D램으로, 구동전압은 1.5V의 저전압이다.

하이닉스반도체 한 관계자는 “이번 DDR3 D램 제품 개발에는 다이아몬드(90나노) 공정이 적용됐으며, 개발을 마무리하고 조만간 공식 발표할 계획을 잡고 있는 것으로 안다”고 말했다.

PC 및 서버의 메인메모리시장이 타깃인 DDR3 D램은 현재 쓰이는 DDR D램의 2배, 올해 주력이 될 DDR2 D램의 4배 동작속도를 가진 제품으로, 세계반도체표준협회(JDEC)의 DDR3 표준규격을 지원한다. 이 제품은 2006년 초기시장을 형성해 2007년부터 본격적인 성장을 할 것으로 전망된다.

업계 한 관계자는 “삼성전자는 80나노 공정에서 DDR3 D램을 개발했고 하이닉스는 90나노 공정을 활용했지만 아직 연구소 개발 단계이기 때문에 양산시점에서는 양사 모두 좀 더 미세 공정을 활용할 가능성이 높다”며 “차세대 제품 개발에 한국기업들이 앞장서고 있다는 것에 큰 의미가 있다”고 말했다.

심규호기자@전자신문, khsim@