TI-램트론, 4메가비트 F램 내년 생산

　텍사스인스트루먼츠(TI)와 램트론이 4메가비트(Mb) F램을 내년 양산할 예정이라고 반도체 전문 인터넷 뉴스 사이트인 실리콘스트래티지스가 보도했다.

　실리콘스트래티지스에 따르면 TI와 램트론은 지난 17일(현지시각) ‘비휘발성 메모리 기술 심포지엄 2004’에서 강유전체 메모리(F램) 개발에 관한 보고서를 발표했다. 보고서에서 TI와 램트론은 130나노 공정을 이용한 ‘기능적인’ 임베디드 F램(eF램)을 선보일 예정이라고 밝혔다.

　TI와 램트론은 4메가비트 F램 개발을 위해 이미 협력작업을 진행하고 있으며 내년 생산에 들어갈 예정이다. TI는 내년 초 램트론의 F램을 파운드리(수탁생산) 방식으로 생산하고 2005년 말에는 독자적으로 4메가비트 eF램을 생산한다는 계획이다.

　램트론은 이에 앞서 지난 4월 1메가비트 F램을 세계 최초로 개발, 일본 후지쯔를 통해 제품을 생산하며 F램 분야에서 앞서가고 있다.

　F램은 D램이 가지는 대용량 데이터 저장능력과 S램의 빠른 속도 등 장점을 결합한 차세대 반도체로 삼성전자, 후지쯔, 마이크론 등의 업체들이 이 분야 연구개발을 진행하고 있다.

　TI와 램트론은 “쓰기속도가 빠르고 저전력, 비휘발성 데이터 보유 등의 특징이 있다”며 F램의 우수성을 강조했으며 “특히 eF램은 셀 크기가 S램 셀보다 상당히 작아서 비용 면에서도 효율적”이라고 덧붙였다.

전경원기자@전자신문, kwjun@