올 총 투자금액 최대 40억달러 될듯
삼성전자가 300mm 웨이퍼 생산공장인 12라인 추가 투자규모를 당초 계획보다 50% 이상 늘려 올해 처음으로 반도체 설비투자 금액이 40억 달러를 넘어설 전망이다.
9일 관련업계에 따르면 삼성전자는 내년 1분기 가동을 목표로 투자중인 12라인 2단계(페이즈2) 웨이퍼 월 생산량을 당초 1만2000장에서 2만장 이상으로 확대하는 방안을 적극 검토중이다.
또 내년 1분기 장비반입이 예정된 12라인 3단계(페이즈3) 생산규모도 월 8000장에서 최대 1만5000장으로 늘린다는 계획이다.
이에 따라 삼성전자는 지난달 공시한 12라인 2단계 투자금액 5050억원과 별도로 2000억∼5000억원 가량의 추가 투자가 발생, 올해 반도체부문 총 설비투자 금액이 최대 40억 달러를 웃돌 전망이다.
삼성전자는 이같은 수정 투자계획을 오는 17일로 예정된 3분기 기업설명회에서 발표할 것으로 알려졌다.
이처럼 삼성전자가 투자규모를 확대하는 것은 플래시메모리 양산에 치중하면서 일시적으로 D램 및 S램의 시장점유율이 크게 떨어졌기 때문으로 전문가들은 분석하고 있다.
실제 지난해까지 32%대를 유지해온 삼성전자의 D램 및 S램 시장점유율은 올 1분기 29.9%까지 떨어졌으며, 2분기에도 31%로 지난해 수준을 밑돌았다.
장비업계 한 관계자는 “삼성전자 구매팀이 12라인 2단계 장비구입과 관련해 당초 요구한 발주량보다 추가로 장비를 주문하려는 움직임은 곳곳에서 감지되고 있다”며 “D램 등의 시장점유율이 떨어진 것이 직접적인 이유지만 300mm 웨이퍼 양산량을 늘릴 경우 아직 단가가 비싼 300mm 웨이퍼 재료값을 낮출 수 있는 것도 고려된 것으로 보인다”고 말했다.
올해 말까지 300mm 웨이퍼 월 생산량을 2만5000장으로 확대키로 한 삼성전자가 12라인 투자규모를 추가로 늘릴 경우 내년 2분기를 기점으로 300mm 웨이퍼 월 생산량은 최대 월 5만∼6만장으로 크게 늘어날 전망이다.
이에 대해 삼성전자 관계자는 “시장점유율이 올 1분기에 조금 떨어진 것은 사실이나 12라인 1단계가 본격 가동된 3분기부터는 예년 수준의 시장점유율을 유지할 것으로 보인다”며 “추가 설비투자계획에 대해선 아직 확정된 것이 없으며 확정된다면 공시나 기업설명회 등을 통해 밝힐 방침”이라고 말했다.
<장지영기자 jyajang@etnews.co.kr>
