삼성전자 발표논문 최다 채택

삼성전자가 국제적 권위를 인정받고 있는 세계 3대 반도체 전문 학술대회의 하나인 ‘VLSI 심포지엄’에서 참가업체 중 최다인 22편이 발표논문으로 채택돼 기술력을 과시했다.

　이번에 채택된 삼성전자 논문으로는 △CMOS P램(Phase-change RAM) △90나노미터(㎚)급 회로공정의 노어(NOR) 플래시메모리 △90㎚ S램 △65㎚ 시스템온칩(SoC) 요소공정기술 등이며 특히 △D램 리프레시(재충전) 기능을 지닌 새 트랜지스터 구조 ‘RCAT(Recess-Channel-Array-Transistor)’는 가장 주목받는 기술인 ‘하이라이트 세션’ 부문에서 발표될 만큼 주목을 끌었다.

　CMOS P램은 D램의 휘발성과 집적도의 한계를 극복하기 위해 기존 실리콘 대신 비휘발성 상(相)변화물질을 이용한 신개념 메모리반도체로 업계 처음으로 개발된 기술이다. 90㎚급 노어플래시메모리는 칩사이즈를 기존 대비 50%로 축소한 고집적도 기술이다. 이밖에도 SoC 공정기술부문에서는 65㎚ 공정에 필요한 ‘유전막기술’과 ‘저온증착기술’이 관심을 끌었다.

　삼성전자 선행공정개발팀 강호규 상무는 “이번 VLSI학회를 통해 삼성의 90㎚ 양산 및 65㎚ 개발 기술의 선도력을 대내외에 인지시키는 계기가 됐다”고 말했다.

　　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>