하이닉스반도체, 업계 최초 메가급 Fe램 상용화 기술 개발

　하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hynix.com)가 차세대 이동통신 및 시스템온칩(SoC)용 메모리로 평가되는 고집적 강유전체 메모리(Fe램:Ferroelectric RAM)의 상용화 기술 개발에 성공했다고 9일 밝혔다.

　Fe램은 D램의 고집적도, S램의 고속동작, 플래시메모리의 비휘발성 등의 장점만을 모아 제작된 통합 메모리이며 D램·S램·플래시메모리를 대체할 차세대 메모리로 평가된다.

　시장규모는 이동전화단말기·개인휴대단말기(PDA)·스마트폰·스마트카드 등의 급속한 성장에 힘입어 2006년께 100억달러 규모로 확대될 전망이다.

　하이닉스반도체의 Fe램은 0.25미크론(㎛)의 미세가공기술을 적용한 4M 및 8M Fe램 샘플로, 3.0V의 동작전압에서 70나노초(1㎱는 10억분의 1초)의 고속으로 쓰기와 읽기가 가능하며 1천억번 이상의 반복쓰기가 가능하다.

　이 제품은 2개의 트랜지스터와 2개의 커패시터(capacitor)로 구성된 기존 Fe램과는 달리 각각 1개의 트랜지스터와 커패시터로 구성돼 칩 생산 효율성을 높였으며 새로운 강유전체 물질인 비스무트란타늄티타네이트(BLT)를 사용해 칩의 크기를 줄이고 소자의 신뢰성을 크게 높였다.

　또 별도의 추가 기술개발 없이도 64M급 Fe램까지 제작이 가능하며 단일소자 또는 내장형(임베디드) 메모리 상태로 SoC에 응용할 수 있다.

　이 제품은 10일 미국 콜로라도 스프링스에서 개최되는 제15회 ISIF(International Symposium on Integrated Ferroelectrics) 학회에서 처음 공개될 예정이다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>