IR코리아, P채널 HEX FET 전력 MOS FET 출시

　전력반도체 전문업체 인터내셔날렉티파이어코리아(IR코리아·대표 박흥식)는 P채널 HEX FET 전력 MOS FET 2종(모델명 IRF6216/IRF6217)을 출시했다.

　이들 제품은 자체 동작저항(RDS)을 24밀리옴(mΩ)으로 최대 15% 낮췄기 때문에 전력소모를 줄이고 전력밀도를 높여야 하는 통신장비용 소형 디지털디지털(DC-DC) 컨버터나 고주파 스위치 제조에 적합하다는 것이 회사측 설명이다.

　박흥식 사장은 “높은 전력밀도를 요구하는 네트워킹 및 통신장비업체들은 4분의 1브릭(brick) 크기의 DC-DC 컨버터를 8분의 1 브릭 크기로 대체해 약 40%의 공간절감 효과를 보고 있다”면서 “이들 제품은 원가를 유지하면서도 전력밀도와 효율을 증대시킬 수 있을 것”이라고 말했다.

<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>