IR코리아, 전력 MOS FET 새 패키징기술 선보여

　전력용 반도체 전문업체인 인터내셔날렉티파이어코리아(IR코리아·대표 박흥식)는 양면냉각기술을 채택해 열발산효과를 대폭 개선한 ‘다이렉트펫(DirectFET)’이라는 신개념의 표면실장 전력 금속산화물 전계효과트랜지스터(MOS FET) 패키징 기술을 개발했다고 4일 밝혔다.

　이 패키징 기술은 기존 바닥면 냉각에다 윗면 냉각을 위해 SO-8 풋프린트를 채택, MOS FET의 부품 수는 기존 대비 60%까지, 보드 공간은 50%까지 축소했으며 전류밀도(제곱인치당 A)를 최대 두배로 높였다는 것이 회사측 설명이다.

이 패키지는 발열량이 많은 마이크로프로세서(CPU)용 전원공급에 필요한 고주파, 고전류 DC-DC 컨버터에 적합하다. 현재 이 패키지는 시제품 공급중이며 양산은 3분기부터 가능하다.

　박흥식 사장은 “‘다이렉트펫’ 기술은 양면에 방열판을 달아 PCB 기판의 열을 제거하므로 냉각효율을 대폭 높였다”며 “그동안 발열문제가 난제였던 PC 및 서버 시스템 설계에 큰 효과가 있을 것”이라고 말했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>