하이닉스반도체, 구리배선 공정기술 연구소 개소

사진; 하이닉스반도체 박상호 사장(왼쪽 세번째) 등 임원진들이 코퍼테크놀로지센터 현판 제막식을 진행하고 있다.

　하이닉스반도체(대표 박종섭 http://www.hynix.com)는 차세대 비메모리반도체의 개발을 위해 구리배선 공정기술과 저유전율 절연막기술을 연구하는 ‘코퍼테크놀로지센터(CTC)’를 최근 오픈했다고 27일 밝혔다.

　청주생산본부 시스템IC 연구소 FAB(SR1)내에 설치된 CTC는 0.15미크론(1㎛은 100만분의 1m)급 이하의 구리배선기술과 0.13미크론급 이하의 저유전율 절연막기술을 개발, 파일럿 라인을 통해 시험제품을 생산할 계획이다.

　이대훈 연구소장(상무)은 “미래 시스템IC시장을 확보하기 위해서는 구리배선 공정기술이 필수적”이라며 “선행기술을 확보해 비메모리 분야의 경쟁력을 확대할 계획”이라고 말했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>