삼성전자, 저전력 256M SD램 양산

　

　삼성전자(대표 윤종용)는 차세대이동통신(IMT2000)단말기·개인휴대단말기(PDA) 등 차세대 휴대기기에 적용 가능한 256M 저전력(low power) SD램을 업계 처음으로 양산한다고 23일 밝혔다.

　이번 제품은 회로선폭 0.15㎛ 공정을 적용해 2.5V의 저전압에서 작동이 가능하므로 IMT2000단말기, 디지털 캠코더, 스마트폰, PDA, 디지털 카메라 등 휴대형 디지털 정보기기에 적합하다.

　특히 저전력 SD램은 PC의 주기억장치로 사용되는 범용 SD램에 비해 시장가격이 훨씬 높고 최근 휴대기기에 적용사례가 급격히 확산되면서 고부가가치를 달성할 것으로 삼성전자측은 기대하고 있다.

　이번 제품은 △PASR·TCSR 등의 기술을 적용해 대기모드에서의 소비전력을 기존 제품에 비해 약 10분의 1로 줄였고 △초소형 반도체 패키지 기술인 칩스케일패키지(CSP) 기술을 적용해 제품의 크기를 기존제품(TSOP) 대비 절반으로 줄인 것이 특징이다.

　저전력 SD램 기술과 규격은 삼성전자의 제안으로 올해 3월 전기전자부문 국제표준기구인 제덱(JEDEC)에서 정식으로 채택됐다.

　삼성전자는 이번 제품의 조기양산을 통해 초기시장을 선점, 내년에는 휴대기기용 저전력 SD램시장에서 점유율을 50% 이상 높일 계획이다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>

　

용어설명

　1.PASR(Partial Array Self Refresh):휴대기기의 전력소모를 줄이기 위해 대기상태에서 데이터가 있는 블록만 자동 재가동하는 기술

　2.TCSR(Temperature Compensated Self Refresh):전력소모를 줄이기 위해 온도에 따라 재가동 속도를 조절하는 기술