삼성-현대, 차세대 이동전화기용 메모리칩 시장 경쟁

사진: 삼성전자가 출시한 이동전화기용 멀티칩(왼쪽)과 현대전자의 이동전화기용 저전력 8M S램

삼성전자와 현대전자가 경쟁적으로 휴대폰용 메모리 시장 공략에 나섰다.

8일 삼성전자(대표 윤종용)는 최근 D램과 S램의 장점을 결합한 Ut(Uni-transistor)램을 개발한 데 이어 이 제품과 낸드(NAND) 플래시메모리를 하나로 패키지화한 차세대 휴대폰용 멀티칩패키지 제품을 개발, 출시했다고 밝혔다.

삼성에 하루 앞서 현대전자도 대기전력을 1마이크로암페어(1㎂는 100만분의 1A)로 낮춘 차세대 휴대폰용 8Mb S램을 개발, 2분기중 출시할 예정이라고 발표했다.

두 회사의 잇따른 제품 출시는 IMT2000 단말기 등 차세대 휴대폰용 메모리 시장을 선점하기 위한 것으로 풀이된다.

이날 삼성전자가 발표한 제품은 64Mb NAND 플래시 칩과 32Mb Ut램을 하나의 패키지로 만들어 실장면적을 약 3분의 1로 축소해 휴대폰과 같은 제품의 소형화·경량화 추세에 대응할 수 있다.

플래시메모리는 휴대형 전화의 데이터 및 코드데이터 저장구실을 하며 Ut램은 데이터 처리를 위한 버퍼용 메모리로 사용된다.

이 제품은 또 NAND 플래시메모리와 Ut램의 데이터 입출력 핀과 읽기 및 쓰기 핀을 공유해 핀의 사용을 최소화했으며 최대 512Mb NAND 플래시와 62Mb의 Ut램으로 용량을 늘릴 수 있다.

삼성전자는 지난해 64Mb NAND 플래시메모리와 8Mb S램을 멀티칩화한 제품을 출시한 바 있으며 올초 휴대폰용으로 새로운 개념의 Ut램도 개발했다.

이 회사의 한 관계자는 『지금까지 휴대폰에 코드데이터 저장용으로 고가의 노어(NOR)형 플래시메모리 제품을 써왔으나 이번 멀티칩 출시를 계기로 고가의 NOR 플래시 시장이 멀티칩 제품으로 빠르게 바뀔 것』이라고 말했다.

현대전자도 최근 차세대 휴대폰용으로 제품크기를 기존제품보다 40% 정도 줄이고 대기전력을 1㎂ 이하로 낮춘 8Mb S램을 개발했다.

이 제품에는 회로선폭 0.18미크론(1미크론은 100만분의 1m)의 미세회로선폭 공정기술과 소형 패키지 기술인 칩스케일패키지(CSP) 기술이 적용됐으며 1.8V, 2.5V, 3.0V 등 다양하다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>