삼성전자, 새 반도체 기지 세운다

　삼성전자(대표 윤종용)가 경기 화성군에 부지 30만평의 대규모 반도체 생산기지 건설에 본격 착수, 세계 최고의 반도체 회사로 도약하기 위한 시동을 걸었다.

　삼성전자는 16일 반도체 총괄 이윤우 사장 등 관계자들이 참석한 가운데 128·256MD램, 램버스 D램 등 차세대 반도체를 생산할 제10라인 상량식을 갖고 D램을 비롯한 메모리 제품 분야에서 1위를 유지하는 한편 비메모리사업도 강화, 종합 반도체업체로 성장한다는 내용의 반도체사업 전략을 발표했다.

　삼성전자는 2001년 1·4분기까지 10라인에 총 18억달러(한화 2조1000억원)를 투자, 반도체 회로선폭이 세계에서 가장 정밀한 0.15㎛(1미크론은 100만분의 1m) 공정설비로 월 3만2000장의 8인치 웨이퍼를 가공할 수 있는 최첨단 반도체 공장을 건설할 계획이다.

　삼성은 1단계로 2000년 3·4분기까지 월 1만6000장의 웨이퍼를 가공할 수 있는 설비를 도입, 256MD램·램버스D램·더블데이터레이트(DDR) 등 차세대 반도체를 본격 생산하기로 했다. 또 400여명의 연구인력을 확충하고 6억달러를 연구개발비에 투입할 예정이다.

　삼성전자 이윤우 사장은 이날 기자간담회를 갖고 『반도체 부문을 경쟁사보다 6개월에서 1년 앞설 수 있도록 하고 1년안에 0.12㎛ 초미세 가공기술, 2001년까지 0.10㎛ 가공기술을 개발해 D램·S램 분야 세계 1위를 유지하는 것은 물론 플래시메모리 부문에서도 1위를 차지할 계획』이라고 말했다.

　삼성전자는 올해 반도체와 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT LCD) 등 전부문의 수출호조로 반도체 총괄 매출이 93억달러(한화 11조원) 달성이 예상되며 특히 메모리 분야에서 총매출 60억달러를 기록, 지난 93년 이후 7년째 부동의 세계 1위를 고수할 것으로 기대하고 있다.

신화수기자 hsshin@etnews.co.kr