후지쯔.히타치, 256MD램 양산거점 해외로 확대

일본 주요 반도체업체인 후지쯔와 히타치제작소는 최근 시황 악화가 이어지고 있는 D램 생산과 관련해 차세대 제품인 2백56MD램부터 국내거점을 통한 양산을 전면 중단하기로 결정했다.

「일본경제신문」에 따르면 후지쯔는 앞으로 차세대 D램 양산을 위한 투자를 미국거점에 집중시켜 2백56MD램부터는 미국 공장을 자사의 유일한 양산 거점으로 활용할 계획이라고 밝혔다. 히타치도 차세대 D램 양산을 위한 국내 투자를 전면 중단하고 2백56MD램 이상급 제품부터는 싱가포르거점에서만 양산, 일본을 포함한 세계시장에 출하할 방침이라고 발표했다.

두 회사의 이번 방침은 시황 조기 악화의 우려가 있는 차세대 D램 양산거점을 한곳으로 통합해 설비투자를 억제하기 위한 것으로 인건비, 건설비, 전기료 등을 고려할 때 경쟁력 향상을 위해서는 국내거점보다 해외거점에 집약하기는 것이 유리하다고 판단한 때문으로 풀이된다.

후지쯔는 현재 현 주력 D램인 64MD램을 국내 이와테공장과 미국 오리건주 공장 두 곳을 통해 양산하고 있으나, 차세대 제품인 2백56MD램은 최첨단 설비가 구축돼 있는 오리건주 공장을 통해서만 2천1년부터 양산을 시작할 계획이다. 후지쯔는 양산거점 통합으로 수백억엔 규모의 투자비를 절감할 수 있을 것으로 보고 있다.

히타치도 오는 2000년 가동 예정인 이바라키현 히타치나가시의 LSI제조본부내 새공장과 싱가포르공장 두 곳을 통해 2백56MD램 양산을 시작할 방침이었으나 국내거점 양산은 계획 단계에서 중단하고 싱가포르거점을 유일한 양산거점으로 활용키로 했다. 히타치는 이에 따라 LSI제조본부내 새공장을 통해서는 최근 호조를 보이고 있는 「SH」 등 고성능 마이크로컨트롤러를 양산할 계획이다.

세계 반도체업체들은 차세대 D램인 2백56MD램을 2천1년께부터 양산한다는 계획을 세워 놓고 있으나 2백56MD램은 현 주력 제품인 64MD램에 비해 4배 정도의 집적도 향상을 필요로 하기 때문에 1공장당 투자액이 1천5백억엔을 넘는 등 어려움이 예상되고 있다. 게다가 대만업체들의 잇따른 대형 투자와 기존 미국, 일본, 한국업체들의 사업 유지로 2백56MD램도 64MD램과 마찬가지로 시황이 빠르게 악화될 가능성이 점쳐지고 있다.

<심규호 기자>