삼성전자, 64M 램버스 D램 모듈 개발

삼성전자(대표 윤종용)가 차세대 고속 메모리반도체로 부상하고 있는 64M 다이렉트 램버스D램 모듈(RIMM, Rambus In-line Me­mory Module)을 업계 처음으로 개발했다고 15일 밝혔다.

이번에 개발된 모듈은 출시 후 바로 PC에 장착해 사용할 수 있도록 하나의 기판 위에 여러 개의 칩을 집적시킨 실용제품이다.

PC의 메인메모리용 램버스D램이 모듈형태로 개발한 것은 삼성전자가 처음이다.

특히 첨단 반도체 패키지 기술인 마이크로BGA 패키지를 적용, 제품의 크기와 무게 등을 획기적으로 감소시킨 상용화 제품이라고 삼성전자 측은 설명했다.

이에 앞서 삼성전자는 지난 3월 64M 다이렉트 램버스D램 시제품을 개발한 후 5월에 인텔에 샘플을 공급, 성능시험을 거쳤다.

삼성전자가 개발한 램버스D램은 핀당 정보처리속도는 9백Mbps∼1Gbps, 칩당 처리속도는 1.8∼2.0Gbps로 기존 EDO방식 D램의 25배, 현재의 주력제품인 PC100용 64M 싱크로너스D램보다 10배 정도 빠른 초고속 제품이다.

삼성전자의 D램 설계팀장인 조수인 상무는 『이번 64M 램버스D램 모듈을 경쟁업체보다 앞서 개발에 성공함으로써 차세대 고속D램 시장에서 우위를 차지할 수 있을 것으로 기대된다』고 말했다.

<최승철기자>