삼성전자, 고전압 전력용 반도체 IGBT 개발

삼성전자가 그동안 전량 수입에 의존해온 고전압, 전력용반도체 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transister)를 개발했다고 8일 밝혔다.

이 제품(SGL40N150)은 MOS기술을 적용해 고속동작이 가능하고 1천5백와 40A의 고전압, 고전류 상태에서도 내부 전기저항을 줄여 동작속도를 떨어뜨리지 않고 유지할 수 있는 게 특징이다.

전력용 반도체는 자기유도가열(IH)방식의 전열제품에 사용되는 핵심부품으로 전기밥솥, 전기조리기구 등에 주로 사용되는데 이 「SGL40N150」은 일본산 제품보다 동작속도가 빠르고 전압 안정성이 우수하다고 삼성측은 밝혔다.

삼성은 올초 9백급 개발에 이어 이번 1천5백급 제품의 개발로 IGBT 시장대응력이 높아졌다고 보고 다음달부터 국내시장의 수입대체는 물론 대만 등 동남아지역을 중심으로 수출시장개척에 본격 나설 방침이다.

<용어해설>

IGBT는 전력용반도체의 일종으로 정확하게 고전력 스위칭용 반도체를 뜻한다. 전기의 흐름을 막거나 통하게 하는 스위칭 기능은 다른 부품이나 회로로도 구현할 수 있지만 정밀한 동작을 필요로 하는 제품일수록 동작속도가 빠르고 전력의 손실이 적은 전용부품을 필요로 하는데 기존 스위칭반도체인 트랜지스터(TR)는 가격이 저렴한 대신 회로구성이 복잡하고 동작속도가 느리고, MOSFET는 저전력의 속도가 빠른 대신 비싼 단점이 있다. IGBT는 바로 이 두 제품의 장점만을 결합한 제품으로 평가받고 있다.

<김경묵 기자>