삼성전자, 세계 최고속 4M 패스트 S램 개발

삼성전자(대표 윤종룡)가 고용량 S램 중에서도 데이터 처리속도가 세계에서 가장 빠른 10나노초(1나노초는 10억분의 1초)의 4M FAST S램을 개발했다고 4일 발표했다.

이 제품은 짧은 생산기간과 저생산단가가 장점인 CMOS공정을 통해 생산, 가격경쟁력이 우수하고 사용대기전류도 기존 S램이 10mA인데 반해 1mA에 불과할 정도로 저소비전력을 실현해 반도체칩의 전력사용문제를 획기적으로 해결할 수 있는 게 특징이다.

또 정보를 입력하기 위해 전기신호의 입력전압 기준치를 종전보다 낮은 2.0∼0.8V로 낮춤으로써 회로주변에서 발생하는 잡응을 감소시켜 오작동의 가능성을 줄였고 영하 40도∼영상 85도의 넓은 동작온도, 저전압에서 기억시킨 내용을 유지하는 뛰어난 신뢰성을 갖고 있다고 삼성 측은 밝혔다.

이 고속S램은 일반 S램이나 D램보다 동작속도가 3∼4배 빠르기 때문에 주로 교환국, 기지국과 같은 대형 통신장비와 워크스테이션의 CPU와 회로 사이의 정보처리속도를 높이기 위한 캐시메모리로 사용되며 미사일 등 군사용 로켓 등의 우주산업시장에도 폭넓게 채택될 수 있는 고부가가치제품이다.

삼성전자는 D램시장 약세에 대응한 메모리시장 수익보전을 극대화한다는 전략 아래 내달부터 이 제품을 미주지역과 유럽, 일본, 동남아시장 등에 주력 공급해 고속S램 시장 선점에 나설 계획이다.

삼성은 지난해 세계 S램시장에 6억3천만 달러를 공급해 미국과 일본업체를 제치고 수위를 차지했으며 올해에도 고부가가치인 4M 패스트 S램의 주력제품화로 7억 달러의 수출은 가능할 것으로 내다보고 있다.

<김경묵 기자>