삼성전자, D램 복합칩 첫 개발

삼성전자(대표 윤종룡)는 최근 1MD램과 주문형반도체(ASIC)를 통합한 D램 복합칩 「MDL80」을 국내 첫 개발, 3월부터 본격 양산할 계획이라고 17일 발표했다.

「MDL80」은 0.5㎛ 공정기술의 ASIC제품에 1~2MD램을 내장할 수 있는 복합제품으로 3.3V와 5V에서 동작이 가능하며 기존 ASIC제품 개발시의 설계환경을 그대로 사용할 수 있다.

복합칩은 두개의 제품을 사용할 때보다 비용절감 효과가 크고 보드 크기를 줄일 수 있다. 특히 D램과 비메모리 소자를 원칩화 할 경우 두 칩간에 데이터 전송 지연시간이 없어져 시스템 성능을 향상시킬 수 있으며 D램시장이 1~4M의 저용량 제품에서 16~64M의 고용량 제품으로 이동함에 따라 발생하는 세트업체들의 저용량 제품 확보 어려움을 해결할 수 있다고 삼성 측은 설명했다.

삼성전자는 MDL(Merged DRAM with Logic)제품을 향후 주요 전략상품으로 삼는다는 전략 아래 이번 MDL80 개발에 이어 1~4MD램의 내장이 가능한 MDL85와 0.35미크론 ASIC에 16MD램을 내장한 MDL90을 연내에 개발, 양산할 예정이다. 또한 98년에는 0.25미크론급 제품을, 2000년에는 0.18미크론 공정의 첨단 제품을 지속적으로 개발, 공급해 세계 일류의 D램 복합칩업체로 부상할 계획이다.

D램 복합칩 시장은 96년 1억 달러에서 올해는 2억 달러, 내년에는 6억 달러로 성장하며, 2000년에는 30억 달러 이상으로 확대될 것으로 삼성 측은 예측하고 있다.

<김경묵 기자>