LG반도체.서울대, 초미세소자기술연 연내 설립

서울대와 LG반도체가 테라비트급 이상의 차세대 반도체소자 기술을 공동개발키로 했다. 이를 위해 서울대는 LG반도체로부터 1백50억원을 출연받아 연내에 「초미세소자기술연구소」를 설립키로 했다.

서울대측은 초미세소자기술연구소에서 테라비트 이상의 반도체를 제조할수 있는 신기술연구에 주력하게 될 예정인 데 현재 테라급 이상 차세대 반도체 제조를 위한 신기술연구는 미국과 일본의 대학과 업체에서 일부 진행되고있는 정도에 불과하며 연구소가 설립되기는 이번이 처음이라고 설명했다. 기존 반도체소자로 집적도를 16기가비트 이상으로 높이면 양자효과에 의해 전자가 난반사되는 이상현상을 일으켜 16기가비트 이상의 기억소자 제조를 위해서는 전혀 새로운 소자제조 기술이 필요한 것으로 알려지고 있다. 서울대측은 초미세소자기술연구소가 궁극적으로 테라급 기억소자 개발을 위해 나노단위의 원자나 분자소자 개발을 목표로 하고 있으며 중간단계로 7년 후에는단전자를 이용한 전혀 새로운 기억소자를 개발, 16기가비트의 벽을 넘어설수 있을 것으로 예상하고 있다.

곧 설립될 이 연구소에는 서울대의 물리, 화공, 공업, 화학, 재료, 전자,전기, 기계학과 등 20여명의 교수가 참여하게 된다.

〈김경묵 기자〉