日반도체업계, F램 사업화 박차

일본 반도체 업체들이 차세대 메모리로 주목받고 있는 강유전체 메모리(F램)사업에 박차를 가하고 있다.

롬,히타치,마쓰시타등이 구체적인 샘플출하 계획을 발표했으며 NEC,도시바,후지쯔등도 시장에 참여할 예정이다.

강유전체메모리는 메모리셀에 PZN(아연,지르코늄,티타늄의 복합화합물)및 스토론티움,비스마스,탄타네트등의 강유전체화합물을 사용한 것으로 전원이 단절되어도 기억정보가 소멸되지않는 불휘발성 반도체메모리이다. 써넣는속도는 D램과 같다.

이것은 전자수첩,고속도로요금카드 등 다양한 용도로 사용할수 있으며 특히 전자수첩에 적용할 경우 별도의 메모리보호용 백업베터리를 사용하지 않아도 된다. 오는 2000년에는 시장규모가 1∼3조엔이 될 것으로 전망될 만큼가광받는 분야이다.

이때문에 55년 이상 관련특허를 갖고 있는 美램트론사와 日롬,히타치,도시바,후지쯔등이 공동개발을 위해 제휴했으며 강유전체 재료메이커인 美세람사와 일본의 샤프가 각각기술제휴로 개발및 사업화에 나서고 있는 것이다.

이들업체의 강유전체메모리사업화 추진은 이분야 시장성에 대한 장미빛 전망외에도 메모리분야에서 강세를 보이고 있는 한국과 대만업체들과의 차별화를 통해 메모리분야의 시장주도권을 유지해 나가기위한 것으로 알려지고 있다.

롬은 램트론사가 설계한 16K비트 F램칩의 생산부터 시작해 4K,64K F램제품도 라인업한다는 계획을 세우고 있다.이밖에도 양산기술을 확립해 금년 가을부터 16K비트 F램의 양산에도 나서기로 했다.

또 독자개발한 MFMIS구조의 강유전체메모리도 97년을 양산 목표로 앞으로 이기술을 사용한 응용제품 개발에 주력키로 했다.

히타치 제작소는 지난94년 램트론과 공동개발에 합의했다. 램트론의 강유전체메모리기술과 히타치의 반도체기술을 합쳐 제품을 개발 한다는 것으로히타치는 금년 가을까지 2백56K비트 F램 샘플출하를 시작할 것으로 알려지고 있다. 이 회사는 1M이상의 대용량 제품도 기술적 목표로 삼고 있다.

마쓰시타는 美신메트릭스社및 콜로라도대학과 강유전체 기술 Y1을 공동개발해 이를 이용해 2백56K비트 강유전체메모리를 97년부터 생산할 예정이다. 앞으로 1M,4M제품도 단계적으로 상품화할 계획이다.

또 F램을 내장한 4비트마이컴을 개발,이 마이컴을 이용한 카드서비스인ID용 비접촉 강유전체 IC카드를 美모토롤러의 자회사인 모토롤러 인다우社와 공동개발했다.

이밖에도 NEC는 신메트릭스사와 1M이상의 대용량 강유전체메모리를 공동개발하고 있는데 휴대형멀티미디어 시스템의 메인메모리를 목표로하고 있다.

도시바,후지쯔도 각각 램트론사와 1M이상의 강유전체메모리를 공동개발하고 있어 97년 이후 상품화가 가능할 것으로 기대되고 있다.

따라서 97년중에는 대부분의 일본 주요 반도체업체들이 강유전체메모리를출시할 것으로 전망된다.

<박주용 기자>