삼성종합기술원 MOCVD장비 자체개발

삼성종합기술원(대표 하성한)은 화합물반도체 제조에 있어 핵심이 되는 설비 인 "MOCVD(M-etal Organic Ch-emical Vapor Deposition)"장비를 최근 자체개발했다고 13일 밝혔다.

삼성이개발한 MOCVD설비는 3족과 5족 화합물반도체의 결정성장에 이용 되는장비로 특히 통신용으로 주목받고 있는 InGaAsP계의 장파장(1.3및 1.55미크 론)반도체 레이저다이오드와 InGaAs계의 광증폭 레이저반도체다이오드(9백80 나노미터)제조에 적합토록 설계됐다.

또한더블 푸시 플로(Double Push Fl-ow)방식으로 조성조절및 메모리 이펙트 를 최소화 했으며 다층박막성장및 다층박막계면의 원자단위 구조조절이 쉬운 점이 특징이다.

이설비는 3인치웨이퍼 1장 또는 2인치 웨이퍼 3장을 동시에 장착할 수 있어1회에 1만개이상의 반도체 레이저 다이오드를 생산할 수 있다. 전공정을 자동화해 복잡한 구조의 결정성장에 따른 오차를 최소화할 수 있도록 했으며필요시에는 수동으로 조작이 가능해 연구목적의 공정개발에도 이용할수 있다MOCVD장비는 통상 대당가격이 7억~10억원에 달하는 고가의 설비로 액시트론.엠코어.토마스 스완및 닛폰 산소등이 세계시장을 주도하고 있다.

삼성측은"지금까지는 양산설비를 이들 외국업체에 의존, 설비공급업체가 확보한 제조공정을 기초로 공정개발을 해야하는 문제가 있었으나 이번 개발로 독자 공정기술의 개발이 가능케됨은 물론 향후 소요되는 관련 설비를 자급할 수 있게됐다"고 설명했다.