일본 히타치제작소는 미국의 벤처기업인 램톤사와 강유전체메모리(F램)를 공동개발하는 계약을 맺었다고 최근 밝혔다.
이에따라 히타치는 자사의 CMOS(상보성 금속산화막 반도체)기술과 램톤사의 유도체기술을 결합, 대용량 F램의 제품화를 추진할 계획이다.
이를위해 히타치는 우선 내년 후반기에 소형 휴대기기에 적합한 2백56K비트 제품을 양산할 수 있는 생산체제를 일본에 구축할 예정이다.
또히타치는 2백56K비트 제품을 시발로 용량의 크기도 순차적으로 늘려 1M 및 4M제품도 개발할 방침이다.
생산제품에대해서는 양사가 각각 판매해 나가기로 하고 계약기간은 98년 까지 5년간으로 결정했다.
이를 계기로 히타치는 대용량 F램 양산에서 다른 일본업체들보다 한발 앞서게 된다.
F램은고쳐쓰기 속도 등에서 플래시메모리를 능가할 뿐 아니라 저소비전력에 서도 작동하는 특성을 갖고 있어 휴대정보단말기 등 멀티미디어기기의 프로 그램데이터 처리에 적합한 메모리로 평가되고 있다.
현재관련업체들은 F램 개발을 적극 추진하고 있다. 그러나 재료부분의 과제 등으로 품질을 안정화 하기가 어려워 대용량제품 양산화는 실현되지 않고 있다.
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