SK하이닉스가 HBM4E 샘플을 주요 고객사들에 공급했다. 지난달 말 삼성전자에 이은 HBM4E 샘플 공급으로, 차세대 인공지능(AI) 메모리 주도권 경쟁이 본격화했다.
SK하이닉스는 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.
HBM4E는 엔비디아가 올 하반기 출시할 예정인 AI 가속기 '베라 루빈'에 들어가는 HBM4의 다음 세대 제품이다. 내년 출시 예정인 '베라 루빈 울트라'에 HBM4E가 탑재된다.
SK하이닉스의 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps(초당 기가비트)의 데이터 처리 속도와 48GB 용량으로 삼성전자와 맞먹는 성능을 구현했다. 에너지 효율은 전작 HBM4 대비 20%, 열저항은 17% 개선됐다.
SK하이닉스는 HBM4까지 10나노급 5세대(1b) D램을 썼으나, 이번 제품부터는 10나노급 6세대(1c) D램을 도입했다. 1c D램은 기존 세대보다 회로 선폭을 더 미세화한 제품으로, 같은 면적 안에 더 많은 메모리 셀을 집적할 수 있어 용량과 전력 효율을 동시에 끌어올리는 데 유리하다.
공정 측면에서는 어드밴스드 MR-MUF(Advanced MR-MUF)를 적용했다. MR-MUF는 여러 개의 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이사이에 보호재를 끼워 굳히는 공정이다. 구조 안정성과 발열 성능을 높이는 패키징 기술이다.
HBM4E에는 최신 인터페이스와 설계 최적화도 적용됐다. 이를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고, 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능해졌다고 설명했다.
삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4E 시장을 두고 차세대 제품 대응에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작한 데 이어 지난달 HBM4E 샘플을 고객사에 공급하며 선제 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스도 HBM3와 HBM3E, HBM4로 이어지는 시장 대응 경험과 고객 협력 기반을 앞세워 시장 주도권 확보에 나섰다.
SK하이닉스 관계자는 “그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다”며 “핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다”고 말했다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 밝혔다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
