TSMC의 프로세스 기술 융합… 그룹 내 일관 생산 체제 구축
주식회사 로옴(ROHM)이 GaN(질화갈륨) 파워 디바이스의 일관 생산 체제 구축에 나선다. 로옴은 자사가 보유한 GaN 파워 디바이스 개발·제조 기술과 TSMC의 프로세스 기술을 융합하기 위해 라이선스 계약을 체결하고, 그룹 내 생산 체제를 강화하기로 했다고 밝혔다.
이번 결정은 AI 서버 및 전기자동차(EV) 등에서 빠르게 확대되고 있는 GaN 수요에 대응하기 위한 전략적 조치다. 로옴은 TSMC의 GaN 기술 라이선스를 도입해 공급 역량을 한층 확대하고, 고성능 전력 반도체 시장에서 경쟁력을 강화한다는 방침이다.
GaN 파워 디바이스는 고전압·고주파 특성이 뛰어나 전력 변환 효율을 높이고 제품 소형화를 구현할 수 있는 차세대 전력 반도체로 평가받는다. 현재 AC 어댑터 등 민생기기 분야에서 폭넓게 활용되고 있으며, 최근에는 AI 서버용 전원 유닛과 EV 온보드 차저(OBC) 등 고전압 응용 분야로 채용이 확대되는 추세다.
로옴은 2022년 3월 로옴 하마마츠 공장에서 150V GaN 제품의 양산 체제를 확립하며 기술 기반을 다졌다. 이후 미들파워 영역에서는 외부 파트너십을 통해 공급 체제를 구축해 왔다. TSMC는 이러한 핵심 파트너사 중 하나로, 로옴은 2023년부터 650V GaN 프로세스를 채용했으며 2024년 12월에는 차량용 GaN 관련 파트너십을 체결해 협력을 강화해 왔다.
이번 기술 융합은 기존 협력 관계를 한 단계 발전시킨 것이다. 양사는 라이선스 계약을 통해 TSMC의 GaN 프로세스 기술을 로옴 하마마츠 공장으로 이관하고, 2027년 내 생산 체제 구축을 목표로 하고 있다. 이를 통해 AI 서버 등에서 확대되는 고성능 전력 반도체 수요에 안정적으로 대응한다는 계획이다.
로옴 관게자는 “기술 이관이 완료되면 차량용 GaN 관련 기존 파트너십은 발전적으로 종료되지만, 양사는 향후에도 전원 시스템의 고효율·소형화를 위한 협력을 지속해 나갈 것” 이라고 말했다.
임민지 기자 minzi56@etnews.com
