SK실트론이 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 주목받는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 시장에 진출한다.
SK실트론은 글로벌 에피택셜 웨이퍼 제조사 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 11일 밝혔다. 양사는 고객사 맞춤형 GaN 웨이퍼 공동 개발과 마케팅을 통한 아시아 시장 확대에 협력한다.
IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 세계 반도체 제조사에 공급하는 기업이다. 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 1위를 차지하고 있다.
GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만든다. 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높다. GaN 전력 반도체는 급속 충전과 같이 고출력과 내열성을 요구하는 전기차와 스마트기기, 5G 고속 네트워크 장비 등에서 수요가 증가하고 있다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 전력반도체 시장은 2020년부터 2026년까지 연평균 70%씩 성장할 것으로 전망된다.
SK실트론은 글로벌 3위인 실리콘 웨이퍼 사업과 함께 첨단 반도체 소재로 사업 영역을 확장한다.
장용호 SK실트론 사장은 “첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장 기반을 마련했다”며 “이번 협력을 바탕으로 다양한 분야에서 협력 관계로 발전하길 기대한다”고 말했다.
아메리코 레모스 IQE 최고경영자(CEO)는 “IQE GaN 웨이퍼 제조기술과 SK실트론 실리콘 기반 웨이퍼 역량 시너지를 통해 혁신적인 솔루션을 출시할 것”이라며 “첨단소재 분야에서 세계적으로 인정받는 선두기업과 협력하게 되어 기쁘다”고 말했다.
송윤섭기자 sys@etnews.com
