그래핀 기반 극자외선(EUV) 반도체 공정용 펠리클이 국내 등장해 눈길을 끈다.
참그래핀은 가로 110㎜, 세로 144㎜ 크기 EUV용 펠리클을 개발했다고 1일 밝혔다. 회사는 그래핀을 수십층 쌓아 풀 사이즈 크기 펠리클을 구현했다고 설명했다.
EUV 펠리클은 노광 공정에서 마스크 오염을 막는 부품이다. 마스크 오염으로부터 기인하는 웨이퍼 불량을 줄이기 위한 목적에서 펠리클을 필요로 하고 있다.
그러나 EUV 펠리클은 상용화되지 않았다. 양산에 적용할 정도로 성능을 구현한 제품이 개발되지 않아서다.
참그래핀이 만든 펠리클도 성능이 검증되지 않아 실제 활용 여부는 미지수다. 회사는 그래핀이 EUV와 반응이 덜하고 기계적 강도가 높은 점에 착안해 펠리클을 개발을 시도했다고 설명했다.
김용기 참그래핀 대표는 “EUV는 모든 물질에서 흡수도가 매우 큰 파장이어서 반응을 하지 않는 물질들로 펠리클을 만들어야 하는데, 카본 계열과 실리콘 계열이 후보군으로 꼽힌다”며 “60~70개 정도 그래핀 층을 쌓아 두께가 25나노미터(㎚) 이하인 풀 사이즈의 펠리클을 만든 것이 이번 개발의 핵심”이라고 설명했다.
참그래핀에 따르면 그래핀 기반 펠리클은 학계와 업계에서 연구돼왔다. 하지만 기존에는 가로 100㎜, 세로 100㎜가 최대치였으며, 두께도 50~60㎚였다.
참그래핀은 그래핀으로 반도체 업계에서 필요로 하는 풀 사이즈 펠리클을 만들었으며 EUV 투과율이 높을 수 있도록 두께도 줄여 차별화했다고 강조했다.
김 대표는 “이론적으로 살폈을 때 두께가 25나노 이하여서 투과율 개선에 효과가 있을 것으로 예상된다”며 “그래핀 기반 펠리클이 상용화될 수 있도록 연구개발을 지속할 계획”이라고 말했다.
윤건일기자 benyun@etnews.com
