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<임창문 SK하이닉스 미래기술연구원 담당.>

“SK하이닉스의 EUV 팹(M16)이 내년 초 오픈됩니다. 팹을 오픈한다는 건 보여주기로 하는 것이 아니니, 내년 실제 제품을 볼 수 있을 것입니다. 현재 열심히 기술 검증과 테스트를 하고 있습니다. 본격적인 양산이 중요합니다. 허점이 없도록 열심히 준비하고 있습니다.”

임창문 SK하이닉스 미래기술연구원 담당은 '테크위크 2020 LIVE' 강연을 통해 내년 초 EUV 공정을 적용한 D램을 양산할 계획이라고 밝혔다.

하이닉스가 EUV로 만들 D램은 차세대 제품인 4세대 10나노급 D램이다. 업계에서는 이를 '1a D램'이라고 부른다.

임 담당은 국내 최고의 EUV 전문가로 꼽힌다. SK하이닉스에서 추진 중인 노광, 식각, 마스크 제조 등 EUV 공정에 필요한 기술 전반을 총괄하고 있다.

D램 생산에 EUV가 중요한 이유는 반도체 성능 향상과 생산성 때문이다. EUV는 13.5 나노미터(㎚·10억분의 1m)로 파장의 길이가 짧은 광원이다. 기존 광원인 불화아르곤(ArF)의 10분의 1 수준에 불과하다. 이는 EUV가 반도체 웨이퍼 상에 더 미세하고 오밀조밀하게 패턴을 새길 수 있다는 뜻이다.

뿐만 아니라 기존에는 미세회로를 만들기 위해 수차례 노광 공정을 반복해야 했지만 EUV는 이런 공정 단계를 절반으로 줄일 수 있다. 공정이 줄면 반도체를 만드는 과정이 단순해져 반도체 생산성이 획기적으로 높아진다.

이런 기술적 특징들 때문에 SK하이닉스뿐 아니라 삼성전자도 EUV를 D램에 접목하기 위한 준비를 해왔다. 삼성전자는 지난 3월 10나노 1세대(1x) D램에 EUV를 적용한 데 이어 8월에는 3세대 10나노(1z) 제품까지 성공시켰다. 3월은 고객사에 DDR4 D램 모듈 100만개를 공급한, 시범적인 성격이 강했다면 8월은 현 주력 상품인 3세대 D램에 EUV를 적용하고 대량 생산 수준으로 기술을 끌어 올렸다.

EUV는 기술 격차를 확대할 수 있는 기술이다. 노광 장비는 1대 가격이 1500억원에 달할 정도로 막대한 투자가 요구되고, 기술 진입 장벽도 상당하다. 그러나 국내 SK하이닉스와 삼성전자는 과감한 의사결정과 공격적 투자로 EUV D램 양산에 다가서고 있다.

SK하이닉스는 차세대 D램 생산 기지로 구축 중인 M16에서 EUV 기반 D램을 양산할 것으로 예상된다. 회사는 현재 이천캠퍼스에 EUV 노광기 2대를 배치한 것으로 알려졌다. M16 팹 내에 EUV 라인이 구축될 전망이다.

업계에 따르면 SK하이닉스 EUV는 개발이 상당히 진척돼 이미 상당 수준의 수율을 확보했다는 평가가 나온다.

임 담당은 “본격적인 양산 과정에서 차질이 없도록 준비하고 있다”고 전했다.

윤건일기자 benyun@etnews.com