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<중국 신시성 시안의 삼성전자 반도체 생산공장 전경.>

삼성전자가 해외 유일의 메모리 생산기지인 중국 시안공장에 80억달러를 추가 투자한다. 내년 상반기 가동 예정인 시안 2공장에 추가 투자하면서 메모리 시장 수요 증가에 대응하는 전략으로 풀이된다.

12일(현지시간) 중국 시안 시정부는 웹사이트를 통해 “삼성전자가 시안 2공장 2단계에 80억달러(약 9조5000억원)를 투자하기로 했다”면서 “2021년 하반기 2단계 투자를 완료하면 월 13만장, 300억위안(5조655억원) 규모 웨이퍼 생산 능력을 확보하고 수천명 고용을 할 수 있을 것”이라고 언급했다.

시안시는 지난 10일 강봉용 삼성전자 DS부문 경영지원실장과 왕하오 시안시 서기 등 시 관계자들이 직접 만나 투자를 공식화했다고 알렸다.

시안 공장은 삼성전자의 유일한 해외 메모리 생산 기지다. 이곳에서는 삼성전자 주력 반도체 제품 중 하나인 낸드플래시 생산이 이뤄진다.

시안공장은 1공장과 2공장이 있다. 1공장은 2012년 착공해 2014년 상반기 가동됐다. 2공장은 아직 완공 전으로, 현재 70억달러를 투자한 1단계 공사가 한창 진행되고 있다. 현재 반도체 생산에 필요한 장비들이 입고되고 있고, 최대 웨이퍼 6만5000장 생산 능력을 갖춘 공장이 될 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 3분기 콘퍼런스콜에서 이 공장이 내년 상반기 가동될 것이라고 전한 바 있다.

이번에 밝힌 '2단계' 투자는 2공장 나머지 부분에 낸드플래시 생산 설비를 갖춘다는 의미다. 이번 2공장 프로젝트는 2단계까지 모두 150억달러(17조8000억원)가 투자되는 대규모 프로젝트다.

강봉용 경영지원실장은 왕하오 서기를 만난 자리에서 “2012년 1공장 시안 입주 이후 1단계 사업에 이어 2단계 80억달러 투자가 순조롭게 진행되고 있다”며 “삼성전자가 시안에 투자를 늘리고, 사회공헌 사업에 적극 참여해 시안 경제 발전에 기여하겠다”고 말했다.

삼성전자는 세계 낸드플래시 시장에서 30% 이상 점유율을 확보한 1위 업체다. 최근 세계에서 처음으로 전류가 흐르는 구멍인 채널 홀을 한 번에 뚫는 싱글 스택 방식으로 128단 낸드플래시 기술 개발을 완료하는 등 기술에서도 앞서고 있다.

삼성전자의 메모리 공장 투자는 올해 저점을 찍었던 메모리 시장에 긍정적인 영향을 줄 것으로 풀이된다. 지난해 말부터 메모리 반도체 초호황 사이클이 끝나면서 삼성전자의 올해 실적이 크게 감소했지만, 내년 5G 스마트폰 증가와 데이터센터 신규 수요 등으로 시장이 살아날 것이라는 분석이다. 삼성전자는 순차적인 낸드플래시 공장 완공으로 중국 내 모바일 시장 뿐 아니라 글로벌 메모리 수요 증가에 대응할 것으로 보인다.

한편 삼성전자는 낸드플래시 투자뿐만 아니라 국내 평택 사업장 등에서 D램 공장 투자도 진행하고 있다.

한 장비업계 관계자는 “삼성전자가 내년 평택 P2, 시안 2공장 투자를 재개하면서 메모리 시장 반등을 예상하는 것으로 보인다”고 전했다.

강해령기자 kang@etnews.com