SK하이닉스가 3세대 10나노급 미세공정을 적용한 D램을 개발했다. 회사는 단일 칩 기준으로 업계 최대 용량을 구현, 고용량 D램 시장 수요에 대응해 나간다는 방침을 세웠다.
SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) D램 제품 개발을 완료했다고 21일 밝혔다. 통상 메모리 제품은 10나노 범위마다 공정 고도화에 따라 x, y, z, a 등 단계로 나눈다. 이번 3세대 1z 제품은 10나노대 중반 공정으로 만들어진 제품으로 알려졌다.
SK하이닉스에 따르면 이 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb(기가비트)를 구현했다. 웨이퍼 한 장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 가운데 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성도 약 27% 증가했다. SK하이닉스 관계자는 “초고가인 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 제품을 생산하면서 원가 경쟁력도 갖췄다”고 설명했다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격 최고 속도인 3200Mbps까지 안정 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
3세대 제품은 신규 물질을 적용, D램 작동 핵심 요소인 정전 용량을 극대화했다. 정전 용량은 정보를 읽고 쓰기에 필요한 전하를 저장할 수 있는 능력을 뜻한다. 또 새로운 설계 기술을 도입, 동작 안정성도 높였다. 이정훈 D램개발사업 1z TF장은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 고성능·고용량 D램을 찾는 고객 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라면서 “연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 고대역폭메모리(HBM)3 등 다양한 응용처에 사용될 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해 나갈 계획이다.
강해령기자 kang@etnews.com
