삼성전자가 평택 사업장에서 소비전력을 10% 줄인 1y(17나노) 공정 모바일 D램을 양산한다. 업계에선 최근 1x 서버 D램이 고객사 평가를 통과하지 못하자 삼성전자가 1y로 공정 전환을 서두르는 것이라고 풀이했다.
삼성전자는 26일 업계 최초로 2세대 10나노급(1y) 공정을 적용한 16기가비트(Gb) LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X) 모바일 D램을 양산하기 시작했다고 밝혔다. 이 제품은 내년 출시될 갤럭시S10(가칭)에 적용될 것으로 전망되고 있다. 삼성전자는 이달부터 평택 신공장(2층)에서 해당 제품 생산을 본격 시작한다.
1y 16Gb LPDDR4X D램은 2013년 4월 양산을 시작한 2y 4Gb LPDDR3 모바일 D램보다 속도와 생산성이 2배 향상됐다. 최신 프리미엄 스마트폰에 탑재된 1세대 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4X와 동작속도(4266Mb/s)는 동일하나 소비전력량은 10% 절감됐다. 배터리 사용시간을 늘릴 수 있다.
16Gb 칩 4개가 탑재된 8기가바이트(GB) D램 패키지는 초당 34.1GB 데이터를 전송할 수 있으며, 1세대 대비 패키지의 두께가 20% 이상 감소돼 고객사가 더욱 슬림한 모바일 기기를 디자인할 수 있도록 지원한다.
전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 “업계 유일 2세대 10나노급 모바일 D램 양산으로 차세대 모바일 기기의 D램 용량 증대에 더욱 적극 대응하게 됐다"며, "앞으로도 프리미엄 D램 라인업을 확대해 초고속, 고용량, 초절전 메모리 시장 트렌드를 지속 주도해 나갈 것"이라고 말했다.
삼성전자는 16Gb LPDDR4X D램 칩 기반의 다양한 용량의 라인업(4GB, 6GB, 8GB)을 제공해 기존 모바일 D램 시장을 빠르게 전환할 계획이다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
