파워반도체 전문업체 광전자(대표 박래원)가 탄화규소(SiC) 금속 산화반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET) 소자 개발에 나선다.
광전자는 이를 위해 한국전기연구원·광운대·아이언디바이스 등과 산학연 컨소시엄을 구성해 산업통상자원부 소재부품 미래성장동력사업에 참여, 올해부터 1년 6개월간 국비를 포함해 총 28억3600만원을 투자할 계획이라고 1일 공시했다.
참여기관과는 6인치 팹을 기반으로 전기차 및 신재생에너지용 1200V급 트렌치형 SiC MOSFET 소자 상용화를 추진하기로 협약도 체결했다.
SiC는 규소(Si)에 비해 반도체와 절연체의 절연파괴를 일으키는 최대 전계강도가 약 10배 높고, 고출력·고효율 전력변환 스위칭소자로 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있다. SiC MOSFET는 전기차와 신재생에너지 등 대용량 전력소비 기기의 소형화·경량화에 기여할 수 있다. SiC MOSFET 소자는 미국·일본·독일 등 해외 일부 국가에서만 개발, 전량 수입에 의존하고 있다.
광전자는 SiC MOSFET 소자 국산화를 통해 기존 주력분야인 Si 전력반도체와 함께 신사업 창출의 기회로 만들 예정이다. 6인치 팹에서 SiC MOSFET을 개발하면 수입 대체 효과도 클 것으로 기대하고 있다.
익산=김한식기자 hskim@etnews.com
