D램 300mm M10라인을 일부 전환
SK하이닉스가 경기도 이천 D램 팹 M10을 시스템반도체 라인으로 전환한다. 새로 건립 중인 M14에 메모리 설비를 이전하고, 나머지 설비와 클린룸을 활용해 300㎜ 시스템반도체 팹을 구축할 계획이다. SK하이닉스는 M10이 시스템반도체 라인으로 본격 가동되는 시점에 맞춰 자체 칩 설계뿐 아니라 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에도 적극 나설 전망이다.
21일 업계에 따르면 SK하이닉스(대표 박성욱)는 M14 신규 팹 설립 시점에 맞춰 M10을 D램 라인에서 시스템반도체 라인으로 개조하기로 했다. M10에 있는 D램 설비 중 상당 부분은 M14로 이전하고 나머지 유휴 설비는 시스템반도체 라인으로 개조할 계획이다. 일부 보완 투자도 뒤따를 것으로 예상된다.
이와 관련, SK하이닉스에 정통한 업계의 한 관계자는 “SK하이닉스가 투자 부담을 최소화하기 위해 M10에 중고 장비를 들이는 방안도 검토 중”이라며 “유휴 설비도 충분하기 때문에 투자 규모가 생각보다 크지 않을 수 있다”고 말했다.
현재 M10에서는 26나노미터(㎚) D램이 생산되고 있다. SK하이닉스는 M10을 시스템반도체 팹으로 전환한 후 40나노대 자체 칩을 직접 생산하는 방안을 검토 중이다. 업계에서는 고주파(RF) 등 통신칩이 유력할 것으로 관측한다. RF 칩을 40나노대 공정에서 생산하면 어느 정도 효율성을 확보할 수 있고, 모기업 SK텔레콤을 활용한다면 초기 수요처를 발굴하는 데도 유리하기 때문이다.
40나노대 시스템반도체로 시장에 안착한 후에는 28㎚뿐 아니라 20㎚ 후반 미세공정 투자도 단행할 수 있을 것으로 보인다. 시스템반도체 시장에서 주류로 자리 잡기 위해서는 결국 애플리케이션 프로세서(AP) 기술이 필요하다.
반도체 기술은 성능을 높이고 전력 소모를 줄이는 방향으로 진화하고 있다. AP와 D램·낸드 플래시를 실리콘관통전극(TSV)으로 잇는 패키징 기술이 주목받는 이유다. 대다수 반도체 업체들이 이종 칩 TSV를 구현하기 위해 연구개발(R&D)에 힘쓰고 있다. SK하이닉스는 AMD·인텔 등과 손잡고 이종칩 TSV 연구개발(R&D)을 진행 중이다. 장기적으로 자체 AP와 D램·낸드 플래시를 TSV로 구현할 것으로 보인다.
M10이 시스템반도체 라인으로 본격 가동되면 메모리 중심의 기존 SK하이닉스 사업 구조도 급속도로 재편될 것으로 예상된다. SK하이닉스는 시스템반도체 사업 확장을 위해 올 초 서광벽 미래기술전략총괄 사장(전 삼성전자 시스템LSI사업부 부사장)을 영입한 바 있다. 서 사장을 중심으로 다양한 사업 아이템을 검토 중이다. 이를 위해 시스템반도체 전문 인력도 꾸준히 보강하고, 지식재산(IP) 확보에도 나설 계획이다.
M10 시스템반도체 팹 전환과 관련 SK하이닉스 관계자는 “연구소 확장 등 다양한 안을 검토하고 있다”고 답했다.
김주연·이형수기자 pillar@etnews.com
