삼성, 中 시안 낸드플래시 팹 준공식…한·미·중 3각 체제
삼성전자가 메모리 반도체 중국 생산 시대를 열었다. 삼성전자는 한국·미국에 이어 중국에도 생산 거점을 마련함으로써 글로벌 반도체 생산 3각 체제를 구축했다. 특히 이 회사는 중국 시장의 중요성을 감안해 향후에도 현지 투자를 지속적으로 확대한다는 계획이다.
삼성전자는 지난 9일 중국 산시성 시안시에서 권오현 부회장과 자오정융 산시성 당서기 등 관계자들이 참석한 가운데 반도체 공장 준공식을 개최하고 본격 가동에 돌입했다.
삼성전자의 중국 시안 메모리 팹은 총 70억달러가 투입됐으며, 10나노급 최첨단 낸드플래시(V-낸드)를 생산한다. V-낸드는 미세 회로를 여러 겹 쌓아 올리는 방식으로 만드는 플래시 메모리로 전력 소비량은 적고 데이터 처리 속도는 더 빠른 첨단 제품이다. 시안 공장은 월 10만장(300㎜ 웨이퍼 기준) 규모의 생산능력을 갖춰 풀 가동시 연간 매출액은 50억달러에 달할 전망이다. 시안 메모리 팹은 지난 2012년 9월 기공식 이후 약 20개월의 공사를 거쳐 완성됐다. 총 34만5000여평 부지에 연면적 7만평 규모로 건설됐다.
삼성전자의 시안 메모리 팹 준공은 세계 최대 수요처인 중국에서 현지 생산 체제를 마련했다는 점에서 의미가 있다. 미국 오스틴 공장은 모바일 AP를 중심으로 한 시스템 반도체, 중국은 메모리에 특화된 생산 거점이다. 한국은 모든 반도체를 생산함과 동시에 해외 거점을 조정하는 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’를 완성한 것이다.
특히 삼성전자는 중국 반도체 투자를 지속적으로 확대한다는 계획이다. 글로벌 IT 기업들의 생산 거점이자 전 세계 낸드플래시 수요의 절반을 차지하는 중국 시장에 보다 탄력적으로 대응하기 위한 포석이다. 권오현 삼성전자 부회장은 이날 준공식에서 “향후 제2, 제3의 낸드플래시 공장을 계속 중국에 짓겠다”고 말했다.
삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 글로벌 운영체제를 갖추며 미래 성장동력을 마련했다. V-낸드는 국내 업체들이 경쟁력을 갖춘 증착 공정 비중이 높다. 이미 현지에 진출한 국내 협력사들은 60여개 사로 향후 100개사까지 확대될 전망이다.
한편 삼성전자는 올 연말까지 후공정(반도체 테스트 및 패키징) 라인까지 완공해 완벽한 일관생산체제를 완성한다는 계획이다.
이호준기자 newlevel@etnews.com
