한국다우케미칼(대표 양창원)은 30일 서울 삼성동 그랜드인터컨티넨탈에서 간담회를 열고 7나노미터(㎚) 공정까지 구현 가능한 노광(리소그래피) 기술 `DSA(Direc Self Assembly)`와 화학적기계연마(CMP) 공정용 연마패드 `아이코닉2020H·3040M`을 선보였다.
DSA는 반도체 회로 선폭을 줄이기 위한 신개념 기술이다. 지금까지 반도체는 리소그래피 공정에서 회로 패턴을 웨이퍼 위에 찍어주면 그 선에 따라 화학물질을 증착·식각하는 방법을 써왔다. 이 기술은 리소그래피 이후 공정을 하나 더 추가해 30nm 이하 선폭을 웨이퍼 상에서 구현하는 방식이다.
웨이퍼 위에 화학 물질을 올려 결정을 성장시키는 에피택시(epitaxy) 공정에서 블록을 형성한 뒤 사이사이 공중합체(코폴리머, 고분자화합물의 일종)를 끼워 넣는다. 그래포(Grapho)·케모(Chemo) 에피택시 공정에 적용하면 각각 26㎚·30㎚ 선폭을 찍어낸다. 이 공정을 몇 번 반복하면 최소 7㎚ 선폭까지 그릴 수 있다고 회사 측은 설명했다.
극자외선(EUV) 장비가 출시되지 않아 기존 ArF(193㎚) 광원을 이용하는 이머전 리소그래피 공정을 대체할 수 있다. 현재 반도체 회로 선폭을 줄이기 위해 이머전 공정을 여러번 거치는 더블패터닝·쿼드러플 패터닝 방식을 쓰고 있는데, 이보다 공정비용이 줄어든다.
김민훈 반도체사업부 부사장은 “소자 업체들과 협력해서 공정을 개발하고 있다”고 말했다.
다우케미칼은 또 EUV용 포토레지스트(감광액)과 화학적기계연마(CMP) 공정에 사용되는 연마(폴리싱)패드도 출시했다. 포토레지스트는 상용화 단계에 이르렀고 오는 2015년 EUV가 본격 생산되는 시기에 맞춰 양산할 계획이다. 폴리싱패드는 경도를 40까지 줄이고 공극률도 20%로 줄였다. 경도와 공극률이 낮을수록 웨이퍼 위에 있는 화학 물질을 갈아낼 때 표면에 흠집이 나는 것을 방지해준다. 종전까지 쓰던 폴리싱 패드 경도는 50, 공극률은 35% 수준이다.
오은지기자 onz@etnews.com
