차세대 반도체 핵심 소재로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 기판이 국내서 개발, 질화갈륨 기판을 이용한 반도체 상용화 기반이 마련됐다.
판크리스탈(대표 장훈철)은 2인치 무극성 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 제조 기술을 확보했다고 29일 밝혔다. 또 독자 기술로 웨이퍼 양산 장비인 수소기상증착기(HVPE)도 개발했다고 덧붙였다. 이 회사는 월 100장 수준의 생산 능력을 마련하고 본격적인 사업화에 나설 계획이다.
질화갈륨 기판은 차세대 발광다이오드(LED), 레이저다이오드(LD), 전력반도체 제조용으로 주목받는 소재다. LED 산업 내에선 고효율 LED를 제조할 수 있는 가장 적합한 소재로, 전력 반도체 분야에선 전력 소비를 크게 줄일 수 있는 소재로 꼽힌다.
하지만 기판 제조의 어려움, 높은 가격 등의 이유로 실제 양산 적용은 미진한 상황이다. 기판 한 장에 수 백만원을 호가하는 것으로 알려졌다. 일본 스미토모, 히타치, 미츠비시 등이 이 분야 선도 기업으로 꼽힌다. 판크리스탈은 무극성 질화갈륨 기판으로 도전장을 내밀었다.
이현재 판크리스탈 연구소장은 “지금까지 국내 발표된 질화갈륨 관련 기술은 극성을 가지는 c면 기판에 관한 것이었지만 이번에 개발된 기판은 분극 특성을 제거, 초고휘도 LED나 고출력 트랜지스터 개발에도 적용될 수 있다”고 강조했다.
윤건일기자 benyun@etnews.com
