삼성전자가 10나노미터(nm)급 낸드 플래시 양산 공정에 본격 진입했다.
삼성전자(대표 권오현)은 10나노급 미세 공정 기술을 적용해 업계 최고 속도를 구현한 64GB 내장메모리(eMMC)를 출시한다고 15일 밝혔다.
신제품은 스마트폰·스마트패드(태블릿) 등 모바일 기기에서 데이터를 저장하는 메모리 반도체다. 독자적인 인터페이스 규격을 적용해 성능을 대폭 향상시킨 것이 특징이다. 임의쓰기 속도와 임의읽기속도는 각각 2000 IOPS(메모리와 전자기기 사이 초당 데이터 교환 횟수), 5000 IOPS다. 연속읽기 속도와 쓰기 속도도 초당 260MB, 50MB다. 1.4GB 분량의 영화 한 편을 읽고 쓰는데 각 5.4초, 28초가 걸린다. 이는 고속 외장 메모리 카드인 클래스(Class) 10 제품보다 10배 이상 빠른 속도라고 삼성전자는 설명했다.
세계 최대 낸드 플래시 업체인 삼성전자가 10나노급 공정의 제품을 내놓는 건 이번이 처음이다. 삼성전자는 지난달부터 양산을 시작했다고 밝혔다.
앞서 10나노급 낸드 플래시는 도시바가 첫 테이프를 끊었고, 하이닉스는 내년 초 양산을 예정하고 있다.
내년부터 10나노급 낸드 플래시 양산 경쟁에 불이 붙을 전망이다. 삼성전자는 오는 2014년 10나노급 제품이 세계 낸드 플래시 시장에서 50% 이상을 차지할 것으로 내다보고, 제품 생산을 빠르게 늘려 나갈 계획이라고 강조했다.
삼성전자 메모리사업부 김명호 상무는 “향후 어플리케이션 프로세서 업체와 기술 협력을 통해 더욱 다양한 라인업을 확보하겠다”고 말했다. 삼성전자는 내년 128GB 대용량 제품을 추가 출시할 예정이다.
윤건일기자 benyun@etnews.com
