삼성전자가 급증하는 시스템반도체 수요에 적극 대응하기 위해 화성캠퍼스 부지에 신규 반도체 생산라인을 건설한다.
삼성전자(대표 최지성)는 신규 반도체 라인 건설을 위해 2조2500억원 규모 신규 투자를 결정하고 2013년 말 완공을 목표로 이달 건설에 착수한다고 밝혔다.
이번 신규 라인은 300㎜ 웨이퍼 라인으로 20나노 및 14나노 최첨단 공정을 적용한 모바일 애플리케이션프로세서(AP)를 주력으로 생산할 계획이다. 신규 라인은 기흥(S1), 미국 오스틴(S2)에 이은 세 번째 시스템반도체 전용라인이라는 의미로 `S3`로 명명됐다.
특히 업계에서 메모리반도체 라인으로 예상됐던 화성 17라인 부지를 시스템반도체 전용으로 전환했다는 점에서 의미가 크다. 자체 개발한 쿼드코어 AP(엑시노스 4 쿼드) 등 시스템반도체 수요 증가에 적극 대응하기 위한 것이다.
삼성전자는 작년 화성 16라인을 준공한 데 이어 중국 시안 낸드플래시 생산라인과 S3 라인 건설을 발표하는 등 국내외 균형 있는 적극적 투자로 안정적인 생산체제 구축을 도모하고 있다고 밝혔다. 또 올해 상반기에 시스템반도체 라인으로 전환한 기흥 9라인, 14라인과 함께 최근 스마트 모바일기기 확산에 따른 시스템반도체 수요 증가에 신속하게 대응하기 위한 것이라고 덧붙였다.
우남성 사장(시스템LSI사업부장)은 “이번 신규라인 건설로 글로벌 IT업체의 수요 증가에 적극적으로 대응하고 고객 지원을 강화해 나갈 것”이라고 밝혔다.
시장조사업체 등에 따르면 스마트폰 및 태블릿PC용 시스템반도체 시장은 지난해 234억달러 규모에서 2016년께 594억달러로 향후 5년간 연평균 20% 이상 고성장을 이룰 전망이다.
양종석기자 jsyang@etnews.com
