주성엔지니어링(대표 황철주)은 LCD 및 능동형(AM) 유기발광다이오드(OLED) 패널 해상도를 획기적으로 높일 수 있는 산화물반도체 박막트랜지스터(TFT) 제조용 유기금속화학증착기(MOCVD)를 업계 최초로 개발했다고 2일 밝혔다.
이 MOCVD는 기존 LCD 구동소자 재료인 비정질 실리콘(a-Si)보다 전자 이동 속도를 수십 배 높일 수 있는 산화물반도체 TFT 제조에 사용된다.
주성 측은 기존 산화물반도체 제조 기술인 스퍼터 공정을 세계 최초로 화학증착 방식으로 구현했다고 설명했다. MOCVD 방식으로 8세대 산화물반도체 제조 기술을 갖춘 것은 처음이라고 덧붙였다.
주성엔지니어링은 산화물반도체 원재료인 ‘인듐(In)-갈륨(Ga)-아연(Zn)-산소(O)’ 화합물 재료 비율을 자유롭게 조절해 화학적으로 증착할 수 있게 했다. 또 스퍼터 공정에서 원재료가 되는 물질 비율이 고정됐던 단점을 보완, 생산성과 안정성 측면에서 세계 최고 수준 우수한 전자 이동 속도를 구현했다.
산화물반도체는 비정질 실리콘 기반 TFT보다 전자 이동도를 40배 이상 대폭 향상, LCD 패널에서 액정 반응 속도를 더 빨리 제어할 수 있다. 초대형 및 고선명 패널로 진화하는 디스플레이 시장에서 핵심 기술로 주목받고 있다.
주성 관계자는 “전 세계 디스플레이 기업들이 산화물반도체 TFT 방식을 통한 고속 구동 기술 확보에 적극 나서고 있다”며 “신제품 개발을 계기로 글로벌 종합 장비기업으로 영향력을 구축해 나갈 것”이라고 밝혔다.
양종석기자 jsyang@etnews.com
