하이닉스반도체(대표 권오철)는 8일 20나노급(26나노) 64기가비트(Gb) 멀티레벨셀(MLC) 방식 낸드플래시 제품 양산에 들어갔다고 밝혔다.
지난 2월 제품 개발에 성공한 지 6개월만이다.
하이닉스는 지난 2분기 20나노 낸드플래시 양산에 들어간 삼성전자, IM플래시와 양산시기를 1분기내로 좁히는 등 낸드분야에서 기술 격차를 크게 줄였다고 설명했다.
삼성전자가 지난 4월 20나노 32기가비트 낸드 플래시를 첫 양산한 것과 달리 하이닉스는 그보다 더 용량이 큰 64기가비트 제품을 양산함으로써 생산성을 더욱 높였다고 밝혔다. 이 제품은 30나노급 32기가비트 제품 대비 생산성이 약 60% 가량 높다
반도체 기업들은 낸드플래시 제품의 고용량화를 위해서는 한 개의 패키지 안에 여러 개의 단일 칩을 적층하는데, 단일칩에서 64기가비트를 구현함으로써 동일한 크기의 패키지에서 기존 대비 2배의 용량을 구현할 수 있다. 이 제품 16개를 적층할 경우 128기가바이트(GB) 용량을 하나의 패키지에서 구현 가능하게 되고, 이를 통해 모바일 제품이 요구하는 초소형·고용량 제품 공급 및 고용량 스토리지 부문의 대응도 가능해졌다. 하이닉스는 올해 연말까지 20나노 제품 비중을 10%까지 끌어올리고 30나노 이하 공정 제품 비중도 현재 30%에서 60% 중반대까지 끌어올릴 계획이다.
하이닉스는 이와 함께 고성능 낸드플래시 설계 전문회사인 이스라엘의 아노빗(Anobit)과 전략적 제휴를 통해 낸드플래시 솔루션 제품 개발도 완료했다. 하이닉스는 이전에는 낸드플래시 제품 단품만을 공급해 고객 확대에 어려움을 겪어왔다.
이 제품은 하이닉스 30나노급 32기가비트 낸드플래시 제품에 아노빗의 컨트롤러를 결합한 것으로, 데이터 저장의 오류를 최소화하고 보존기간을 늘려 데이터 저장장치로서 신뢰성을 강화했다. 이번에 양산하는 20나노급 64기가비트 낸드플래시 제품과 컨트롤러를 결합한 제품도 다음 달에 인증작업을 완료할 계획이다.
하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 박성욱 부사장은 “하이닉스는 고객들의 요구에 따라 20나노급 제품의 경우 최대용량인 64기가비트 고용량으로 개발을 결정했으며 솔루션 제품도 출시했다”며 “이 제품들을 통해 스마트폰 및 태블릿 PC 등 최근 수요가 급증하는 모바일 제품에 맞는 최적의 솔루션을 적기에 공급할 수 있을 것”이라고 말했다. 하이닉스는 현재 청주 낸드플래시 전용공장에서 생산을 시작했으며 낸드플래시 전체 생산량도 올해 초 월 4만5000장에서 연말께 8만장 이상으로 늘려, 시장 점유율을 지속적으로 확대해 나갈 계획이다.
유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr
