IBM 반도체 팹 클럽, `하이-k` 시대로 진입

IBM의 반도체 기술 진영인 ‘팹 클럽’이 최첨단 저전력 로직 공정인 ‘하이-K 메탈게이트(HKMG)` 시대로 본격 진입했다. HKMG는 신물질을 적용해 미세 공정에서 발생하는 누설 전류를 줄이고 동작 속도를 향상시킬 수 있는 첨단 기술이다. 스마트폰·태블릿PC 등 모바일 기기용 소자를 만들어내는 데 유용하다.

　14일 EE타임스 등에 따르면 IBM·삼성전자·ARM·글로벌파운드리스·시놉시스 등 이른바 IBM 팹 클럽은 최근 32·28나노 미세 공정에 HKMG 기술을 양산 적용하기 시작했다.

　지난주 삼성전자는 파운드리 32나노 공정에 세계 최초로 HKMG 기술을 구현해냈다. 이 기술은 기존 45나노 공정 대비 2배의 집적도로, 누설 전력과 소비 전력을 각각 55%와 30%씩 감소시켰다.

　또 글로벌파운드리스는 32나노 공정을 건너뛰고 28나노 이하 공정에서 HKMG 기술을 개발중이며, 현재 시생산 단계에 접어들었다.

　삼성전자는 내년 1분기가 양산 목표다. 32·28나노급 HKMG 양산 기술은 ARM과 시놉시스의 지식재산으로 구성돼 있으며, ARM의 코어텍스 플랫폼을 기반으로 한다.

　반면 IBM의 팹 클럽과 경쟁하는 대만 파운드리 업계는 HKMG 양산 기술에서 다소 밀리는 형국이다. 세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC는 오는 9월말까지 고성능 HKMG 제품을 선보인다는 목표다. 이어 연말까지는 28나노 제품도 양산하겠다는 의지다.

서한기자 hseo@etnews.co.kr