삼성전자 40나노 공정 적용한 서버용 32GB D램 모듈 양산

　삼성전자(대표 최지성)는 40나노급 4Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 적용한 서버용 32GB D램 모듈(RDIMM)을 다음달부터 양산에 들어간다고 29일 밝혔다.

　40나노급 4Gb D램을 메모리 모듈에 적용한 것은 이번이 처음이다.

　삼성전자는 32GB 모듈 출시로 PC용 4GB D램 모듈에서부터 서버용 32GB D램 모듈까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보하게 됐다.

　이번 40나노급 4Gb D램으로 만든 32GB D램 모듈은 기존 40나노급 2Gb D램으로 만든 기존 최대 용량인 16GB D램 모듈과 비교할 때 용량은 두 배이면서도 소비 전력은 거의 같은 수준이다. 이를 적용하면 2웨이 서버에서는 기존 메모리 탑재량의 두배인 최대 384GB까지, 4웨이 서버에서는 최대 2TB(테라바이트)까지 메모리를 탑재해 성능을 높일 수 있다.

　삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “하반기에는 30나노급 제품을 출시해 대용량 D램 시장의 성장을 더욱 가속화시켜 나가겠다”고 말했다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr