삼성, 512Mb P램 내년 1분기 양산

　삼성전자가 내년 1분기 65나노 공정기술을 적용한 512Mb 상변화 메모리(P램)를 양산한다.

　삼성전자는 전원이 끊어져도 저장된 정보가 지워지지 않고 처리 속도도 빠른 P램 양산을 계기로 차세대 메모리 시장에서 리더십을 한층 강화할 방침이다.

　삼성전자 메모리사업부 고위 관계자는 21일 “(512Mb 용량의) P램 시제품을 다수 고객들에 보내 테스트 중이다. 오는 10월 말이면 모든 과정이 거의 완료될 예정이어서 내년 1분기 양산을 목표로 사업계획을 짰다”고 말했다.

　삼성은 지난 2005년 8월 P램 64Mb 기술을 세계에서 처음 개발하고 작년 말 65나노 512Mb P램 시제품을 내놓았지만 고객들이 P램 채택을 꺼리고 양산 수율 등 탓에 양산 일정을 계속 늦춰왔다. 삼성전자 한 관계자는 “시제품을 개발했지만 P램 수요가 거의 없는데다 반도체 경기 불황으로 양산화를 서두르지 않았다”고 설명했다.

　삼성전자는 내년 1분기 512Mb P램을 앞세워 Mb급 소용량 시장에서는 노어 메모리 수요를 적극 대체하는 한편 Gb급 대용량에선 낸드 메모리의 원가 경쟁력을 한층 강화, 고성능 모바일 기기 시장을 집중 공략할 방침이다. 이 회사의 P램은 노어 메모리보다 저전력으로 더 빠르게 읽기·쓰기를 할 뿐만 아니라 용량도 노어 메모리의 주력 제품보다 두 배 크다. 고객 쪽에서 스마트폰 등 고성능 시스템의 전력 소모 감소 및 성능 향상, 원가절감 등 효과를 얻을 수 있다.

　삼성전자는 뉴모닉스와 JEDEC LPDDR2(Low Power DDR2) 표준을 지원하는 P램의 시스템향 공통 기술규격을 연내 공동개발, 내년부터 양산 제품에 적용해 차세대 메모리의 기술 표준을 선도한다는 계획이다. 하이닉스·인텔 등도 P램을 개발 중이다.

　 안수민기자 smahn@etnews.co.kr

　◆용어설명

‘P램’=‘게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5)’라는 상변화 물질을 이용해, 이 물질이 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트(bit)를 얻는 방식으로 작동하는 신개념 반도체다. 빠른 작동속도의 램(RAM)계열 메모리와 비휘발성 특성의 플래시 계열 메모리의 장점을 두루 갖추고 있어 일명 ‘퍼펙트 메모리’라 불린다.